长沙市科技计划项目(K1008013-11)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 相关作者：陶可欣郝明丽胡锦张晓轲刘安玲更多>>
- 相关机构：湖南大学中国科学院微电子研究所长沙学院更多>>
- 发文基金：长沙市科技计划项目湖南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 带有基极镇流电阻的SiGe HBT射频功率放大器被引量：1
- 2012年
- 基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款应用于WLAN、WIFI以及蓝牙等应用领域的射频功率放大器。该功率放大器带有基极镇流电阻,增强了热稳定性和交流稳定性,工作在AB类状态,由三级电路级联构成。完成了功率放大器芯片的PCB板级测试,测试结果如下:在2.4 GHz工作频率处,S参数S21为24.3 dB,S11为-10.79dB,S22为-13.8 dB,S12为-45.5 dB;1 dB压缩点输出功率为20.3 dBm,最大输出功率可达23 dBm。
- 胡锦刘安玲陶可欣郝明丽
- 关键词：射频功率放大器锗硅
- 基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器被引量：4
- 2012年
- 基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24dBm,电路的S参数S11在1.5～4GHz大的频率范围内均小于-17dB,S21大于30dB,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-90dB.最高效率可达42.7%,1dB压缩点效率为37%.
- 胡锦陶可欣郝明丽张晓轲
- 关键词：射频功率放大器SIGE
