国际科技合作与交流专项项目(2011DFR11160)
- 作品数：4 被引量：39H指数：2
- 相关作者：郑志霞冯勇建黄元庆更多>>
- 相关机构：厦门大学莆田学院更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于F-P腔干涉的膜片式光纤微机电系统压力传感器被引量：6
- 2012年
- 基于法布里-帕罗腔的干涉原理,采用微机电系统技术加工制作了一种光纤微机电系统压力传感器.采用浓硼扩散自停止腐蚀和磁控溅射的方法,制备厚度为6μm、机械灵敏度为0.502μm/MPa的传感器敏感膜.基于强度解调技术,利用干涉腔的反射功率与压力的关系对压力进行解调.分析了腔长变化对反射率的影响,确定传感器线性工作点的波长,建立稳定的压力传感测试系统.测试结果表明,该传感器压强最小分辨率为62Pa,灵敏度达到0.51nW/KPa,具有良好的线性度、灵敏度和重复性,适用于人体内压力测量和口腔义齿压力测量.
- 郑志霞黄元庆
- 关键词：反射率
- MEMS接触电容式高温压力传感器的温度效应被引量：29
- 2013年
- 介绍了一种基于SOI／硅片键合技术制作的接触电容式高温压力传感器结构，并对传感器的测试装置、测试方法进行详细的介绍后，对传感器进行压力测试和温度特性测试。压力测试结果表明，传感器线性工作区压力为110～280kPa，灵敏度约为0．14pF／kPa；温度特性测试结果表明，传感器具有正温度效应，在30～300％，传感器输出误差约为0．5％。文中还分析了热胀冷缩及介电常数温度系数对传感器温度效应的影响，以及设计了参考电容及运算放大器式传感器测量电路来消除温度效应。
- 郑志霞冯勇建
- 关键词：传感器温度效应运算放大器
- 埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进被引量：2
- 2012年
- 运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失败.通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统,提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度.从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面,使键合电压直接加在耗尽层上,避免埋氧层厚度对键合的影响,提高键合静电力.实验表明,通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与玻璃间的键合,该设备还适用于其他异质材料间的阳极键合.
- 郑志霞冯勇建
- 关键词：绝缘体上硅阳极键合埋氧层脉冲电源
- 用于义齿压力分布式测量的光纤MEMS压力传感器被引量：2
- 2012年
- 根据Fabry-Prot(F-P)腔的干涉原理,采用微机电系统(MEMS)工艺,研制出一种用于义齿压力检测的F-P腔光纤微型压力传感器。传感器膜片厚为6μm,膜片边长为100μm。在与义齿基托相同材料的树脂底基上,挖边长为1.2mm、深度为0.8mm平整的方形小坑,将传感器分布式埋植入底基,并用自制的施加压力的装置对传感器加压测试。用双波长方法解调干涉信号,用阵列波导光栅(AWG)复用传感器,从而实现对口腔义齿下方组织压力的分布式测量。测量结果表明,当义齿加载0～0.6MPa压力时,系统的相对反射率比值/压力可达0.020 1/MPa,测量结果具有良好的线性度,测量系统的复用能力强,且复用传感器之间没有串扰,适用于义齿对口腔下方组织压力的分布式测量。
- 郑志霞黄元庆冯勇建
- 关键词：义齿
