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国家科技重大专项(2009ZX02303-04)

作品数:6 被引量:5H指数:2
相关作者:陈岚吕志强王海永尤云霞吴玉平更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 3篇噪声
  • 3篇振荡器
  • 3篇相位
  • 3篇相位噪声
  • 3篇放大器
  • 2篇压控
  • 2篇压控振荡器
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇非线性
  • 2篇SIGE_H...
  • 1篇低相噪
  • 1篇电感电容压控...
  • 1篇异质结
  • 1篇锗硅
  • 1篇振荡频率
  • 1篇射频
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率放大...
  • 1篇双极型

机构

  • 6篇中国科学院微...

作者

  • 6篇陈岚
  • 5篇吕志强
  • 3篇王海永
  • 2篇王东
  • 2篇尤云霞
  • 2篇吴玉平
  • 1篇冯燕
  • 1篇陈天佐

传媒

  • 3篇微电子学与计...
  • 2篇电子器件
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 5篇2014
  • 1篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种带有开关电流源的低相噪压控振荡器被引量:3
2014年
提出一种带有开关电流源的电感电容压控振荡器(LC VCO)。该技术通过反馈电容将电感电容压控振荡器的输出耦合到电流源,形成了电流源的开关特性,从而减小了电感电容压控振荡器的相位噪声。提出的电感电容压控振荡器采用华虹NEC的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,工作频率为5.7 GHz,相位噪声为-113.0 dBc/Hz@1MHz,功耗为2.3 mA。在其他性能相同的情况下,提出的电感电容压控振荡器的振荡频率比典型的电感电容压控振荡器的相位噪声小4.5 dB。
吕志强陈岚
关键词:电感电容压控振荡器振荡频率相位噪声
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的60GHz VCO分析与设计
2010年
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个60GHz的交叉耦合差分压控振荡器(VCO).通过分析传输线的性能,用λ/4短路传输线构造谐振回路.在分析VCO相位噪声的基础上,采用噪声滤波技术提高VCO的相位噪声性能.该VCO的工作电压为2.2V,偏置电流为11mA,频率调谐范围为58.377GHz^60.365GHz.当振荡频率为60.365GHz时,1MHz和10MHz频偏处的相位噪声分别为-79.1dBc/Hz和-99.77dBc/Hz.
王东吴玉平陈岚
关键词:锗硅压控振荡器传输线相位噪声
一种9bit、8Gs/s的超高速跟踪保持放大器设计
2014年
提出一种9bit、8Gs/s的超高速跟踪保持放大器(THA)设计.该超高速跟踪保持放大器采用差分结构,对采样模块电路进行了改进,采用二极管连接的三极管和电容进行馈通效应补偿和非线性补偿,减小了跟踪保持放大器总谐波失真,提高了整体分辨率.基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,该跟踪保持放大器的总谐波失真约为-58.6dB,分辨率为9.4bit,跟踪模式带宽为4.6GHz,功耗为65mW.
陈天佐陈岚王海永吕志强
关键词:SIGEBICMOSTHA差分结构非线性补偿
基于SiGe HBT的射频功率放大器被引量:2
2014年
基于国内的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,针对该工艺下SiGe HBTs功率器件击穿电压、工作频段的稳定性和最优负载阻抗值等方面的研究,给出了功率放大器的设计优化过程,比较了功率SiGe HBTs在共射和共基两种结构下的频率与最大功率增益性能.实现了一款应用于2.4GHz无线通信的全集成A类功率放大器.测试结果表明:S11<-13dB,S22<-10dB,S21=13.8dB,输出1dB压缩点为10.97dBm,饱和输出功率为16.7dBm.
尤云霞陈岚王海永吕志强
关键词:功率放大器S参数
2.4 GHz SiGe HBT E类高功率放大器
2014年
针对无线通信飞速发展对高功率和高效率功率放大器的需求,提出了一种Cascode结构的2.4 GHz E类高功率放大器。它采用单端接地和单级放大的电路形式。基于国内新研制的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,实现了片内全集成,包括输入与输出匹配网络,具有结构简单、高集成度等特点。同时,考虑了器件的击穿电压,高电流下的电迁移和高功率的稳定性等问题,并进行了优化设计。结果表明,在10 V电源电压时,放大器的输出功率高达30 dBm,效率PAE为39.69%,最大功率增益达14 dB。
尤云霞陈岚王海永吴玉平吕志强
关键词:功率放大器E类功率器件
基于非线性扰动分析的振荡器相位噪声研究
2014年
介绍了Jayanta Mukherjee的振荡器相位噪声理论,该理论基于非线性扰动分析,利用数值解析与电路参数相结合的方式对相位噪声进行研究,分析了不同种类噪声源的影响。设计了理想振荡器和交叉耦合差分压控振荡器进行电路验证分析。把数值解析得到的相位噪声与实际电路仿真结果进行比较,验证了非线性扰动分析在相位噪声研究中的有效性,进一步揭示了相位噪声的物理含义。
王东陈岚吕志强冯燕
关键词:振荡器相位噪声
共1页<1>
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