国家自然科学基金(60077022)
- 作品数：4 被引量：11H指数：1
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响被引量：9
- 2004年
- 采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高
- 陆敏方慧智黎子兰陆曙杨华章蓓张国义
- 关键词：MOCVDGAN缓冲层
- 用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强被引量：1
- 2007年
- 为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术,成功地制备出了带有微米级阵列超薄封装结构的LED.结果表明,这种带有微结构阵列LED的输出光强得到了明显增强,1mm×1mm大管芯GaN LED在350mA的直流电注入下的光功率比无微结构的LED提高了60%.这一成功为提高发光二极管的出光强度提供了一个有效的新途径.
- 包魁章蓓代涛康香宁陈志忠王志敏陈勇
- 关键词：GAN基发光二极管出光效率纳米压印技术微结构
- 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)被引量：1
- 2004年
- 用 Thom as Swan公司的 MOCVD系统在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了高质量的 Ga N薄膜 .采用多种化学腐蚀方法 ,如熔融 KOH ,H3PO4 与 H2 SO4 混合酸和 HCl气相腐蚀法 ,利用 SEM及 TEM技术对 Ga N薄膜中的位错进行了研究 .SEM显示在 Ga N薄膜相同位置处 ,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别 .结果表明 HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错 ;H3PO4 与 H2 SO4 混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错 ;而熔融
- 陆敏常昕方慧智杨志坚杨华黎子兰任谦张国义章蓓
- 关键词：氮化镓
- AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文)
- 2004年
- 采用一维传递矩阵法模拟计算了 Al Ga N/Ga N/In Ga N对称分别限制多量子阱激光器 (发射波长为 396 .6 nm)的波导特性 .以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量 ,获得激光器的优化结构参数为 :3周期量子阱In0 .0 2 Ga0 .98N/In0 .1 5Ga0 .85N(10 .5 nm/3.5 nm)作为有源层 ,90 nm In0 .1 Ga0 .9N为波导层 ,12 0周期 Al0 .2 5Ga0 .75N/Ga N(2 .5 nm /2 .5 nm )
- 陆敏方慧智张国义
- 关键词：MQWSCH
