国家教育部博士点基金(20030730014)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 相关作者：王春明苏旭常彦龙马传利叶为春更多>>
- 相关机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>
- 多孔硅上贵金属的浸入沉积被引量：3
- 2007年
- 将多孔硅浸入含贵金属盐的HF溶液20s,制备了Ag,Au,Pd和Pt的沉积层.AFM形貌显示,这4种贵金属都能在多孔硅上直接沉积,但Pt的沉积量比其他3种少.SEM图及能谱(Energydispersive X-ray spectrometer,EDS)分析显示,沉积层优先生长在孔边上,孔边上的沉积量约是孔底的4.6倍.电化学方法分析显示,Pd和Pt,Ag和Au的沉积层分别具有类似的开路电位和交流阻抗特性,其中Pd层的溶出电流比其他3种大1个数量级,而阻抗比其他小1个数量级,说明Pd层与硅基底的结合程度好,结合界面导电性好.
- 常彦龙苏旭时雪钊王春明
- 关键词：多孔硅贵金属
- 单晶硅表面贵金属晶粒层的制备
- 2008年
- 将预处理过的单晶硅p-Si(100)浸入含贵金属盐的HF溶液,制备了Ag,Au,Pd和Pt的晶粒层.用原子力显微镜(AFM)、开路电位(OCP)、循环伏安(CV)和交流阻抗(A.C.Impedance)方法对晶粒层性能进行了考察.形貌显示,在浸镀20s后,Ag和Pd晶粒层基本上覆盖了硅基底,Ag颗粒致密,Pd颗粒之间仍有空隙且晶粒较Ag大.Au晶粒层部分覆盖了基底,而Pt只有极少数的晶粒.60s后,Ag,Pd和Au晶粒层都完全覆盖了基底,而Pt晶粒仍然较少,但晶粒有所长大.循环伏安显示,Pd的溶出峰电流比Ag,Au,Pt高1个数量级.交流阻抗测量表明,Pd晶粒层阻抗最小.结果表明,Ag,Pd和Au都能用浸入沉积的方法在单晶硅上短时间内制备出晶粒层,而Pt不能,选用哪种晶粒层,需要根据后续工序和实际需要而定。
- 苏旭常彦龙马传利王春明
- 关键词：单晶硅贵金属
- Pd在p型单晶硅(100)表面自催化化学沉积(英文)
- 2007年
- 研究了Pd在氢终止的p型单晶硅(100)表面的自催化化学沉积(AED).在室温下将刻蚀过的硅片浸入常规的HF-PdCl_2-HCl溶液制备了Pd膜.将沉积了Pd的基底作为工作电极,用循环伏安法(CV)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了Pd膜的阳极溶出行为和形貌.结果表明,Pd的生长遵循Volmer-Weber (VW)生长模式,Pd膜给出了很好的支持.
- 陈扬景粉宁叶为春王春明
- 关键词：阳极溶出PD原子力显微镜
- 热集成的贵金属催化多孔硅微反应器元件的制备
- 2008年
- 用直流腐蚀的方法,在HF溶液中用p型单晶硅[p-Si(100)]制备了单孔3μm×2μm、总孔容积0.0224mm3的多孔硅母模。用浸入置换的方法在多孔硅上沉积了Ag、Au、Pd、Pt的催化晶粒层。用化学镀的方法在多孔硅母模上沉积了一层厚约15μm的Ni镀层,然后用电镀的方法增厚至200μm,并从多孔硅上超声剥离,得到镍阳模。形貌显示,催化晶粒层只在多孔硅的棱边上沉积,不在孔洞中生长,多孔硅在保持多孔形状的同时,负载了一层贵金属催化剂,可以用来制备集成催化功能的微反应器。镍阳模与多孔硅的结合面是一层带环隙的岛状颗粒,可以用作微换热器。用此方法可以用简单、价廉的工艺制备适用性较广的热集成的贵金属催化微反应器元件。
- 常彦龙苏旭马传利王春明
- 关键词：单晶硅多孔硅化学镀电镀微反应器
- 银在玻碳旋转圆盘电极表面的化学镀分离研究
- 2008年
- 以水合肼为还原剂，在2．25mol／LNH，-0．56mol／LHAc（pH10～10．5）的基本镀浴中，用化学镀方法将镀浴中的微量Ag^＋离子选择性地沉积于玻碳旋转圆盘电极表面，从而将沁’与其它共存金属离子分离。用开路电位一时问谱技术（OCP—t）、循环伏安法（CV）和微分脉冲伏安法（DPASV）表征了该化学镀分离银的机理和效果。证明在多种金属离子和常见阴离子共存的复杂溶液体系中，可将银进行有效分离；电极表面化学镀富集银量的OCP—t曲线与镀浴中还原剂NH2NH2的浓度在0．1～1．5mol／L范围内有线性关系；而CV法溶出峰电量与镀浴中鲰’浓度在1～10 mmol／L范围内呈线性关系。电极表面富集的银溶出峰电流与Ag^＋浓度在6～20 μmol／L范围内有很好的线性关系。该方法已应用于粗铅样中银的还原、分离和测定，分析结果与电感耦合等离子体发射光谱法（ICP／AES）基本一致。
- 曹桂妍叶为春王春明
- 关键词：银化学镀法循环伏安法
