教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-09-0135)
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 相关作者：尚勋忠何云斌常钢刘越彦郭金明更多>>
- 相关机构：湖北大学武汉纺织大学教育部更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- 黄铜矿结构CuInS_2陶瓷和薄膜的制备及性能研究
- 2013年
- 采用固相烧结法,在真空管式炉中于960℃下保温2h,制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷,所制备的陶瓷呈现p型导电且导电性能良好.此外,以自制的CuInS2陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质量的外延CuInS2薄膜.XRD分析表明薄膜具有良好的沿(112)方向外延取向性,透射光谱测试分析得到薄膜光学带隙为1.4eV.
- 尚勋忠方金钢王志强黎明锴周桃生何云斌
- 关键词：陶瓷脉冲激光沉积
- 纳米CuInS_2光伏材料研究进展被引量：2
- 2013年
- 三元系铜铟硫CuInS2(CIS)以其良好的光伏性能,成为太阳能电池领域的研究热点。从CIS结构出发,综述了CIS纳米材料合成的物理、化学方法,主要包括高温热解法、热注入法、水热和溶剂热法等化学方法以及微波加热等方法,并讨论了各方法的优缺点,最后展望了CIS纳米材料的发展趋势。
- 郭健勇常钢邓泽燕尚勋忠何云斌
- 关键词：三元系纳米材料
- LiBiO2掺杂的低温烧结PSZT压电陶瓷被引量：4
- 2012年
- 采用固相二步合成法,通过在预烧粉料中添加LiBiO2,制备出一种低温烧结的Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷材料。LiBiO2的添加具有降低烧结温度同时提高陶瓷性能的优点。实验结果表明:适量的LiBiO2掺杂,可形成过渡液相烧结,使烧结温度降低到950～1050℃,比未添加时的烧结温度低240～340℃。当w(LiBiO2)=1.0%,陶瓷达到最佳压电性能:压电应变常数d33=425 pC/N,平面机电耦合系数kp=57.62%,退极化温度Td=350℃,相对介电常数ε3T3/ε0=1543,介电损耗tanδ=0.0216,剩余极化强度Pr=35.51μC/cm2,体积密度ρ=7.45g/cm3。该材料可应用于低温共烧的叠层压电器件中。
- 刘越彦尚勋忠孙锐郭金明周桃生常钢何云斌
- MgO掺杂对功率型PZT压电陶瓷性能的影响被引量：1
- 2013年
- 通过掺入不同比例的MgO,采用固相烧结法,制备出一种Pb0.95Sr0.05(Zr0.525Ti0.475)O3+1.1mol%CaFeO5/2+0.3mol%Fe2O3+0.2mol%Li2CO3+xmol%MgO压电陶瓷材料。实验表明:适量MgO掺杂可以改善材料压电介电性能,在保持较高压电性能基本不变的前提下,提高机械品质因数Qm,降低介电损耗tanδ。当x=0.2时,陶瓷的综合性能最佳,具体性能参数为:压电应变常数d33=254 pC/N,平面机电耦合系数Kp=54.5%,相对介电常数ε3T3/ε0=960,介电损耗tanδ=0.34%,机械品质因子Qm=822。其性能满足大功率压电器件的要求,能较好地应用于压电变压器、超声换能器等器件中。
- 周虎尚勋忠周桃生常钢卢寅梅何云斌
- 关键词：压电陶瓷PZT电学性能
