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中央级公益性科研院所基本科研业务费专项(2009ZZ0017)

作品数：2 被引量：2H指数：1
相关作者：李国强高芳亮管云芳更多>>
相关机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇氮化铟
  • 2篇RF-MBE
  • 1篇氮化
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇HVPE
  • 1篇INN薄膜
  • 1篇MOCVD
  • 1篇INN

机构

  • 2篇华南理工大学

作者

  • 2篇管云芳
  • 2篇高芳亮
  • 2篇李国强

传媒

  • 2篇半导体光电

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
2013年
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙,而氮化时间为60min及120min时获得的InN薄膜为单晶结构,表面粗糙度有所下降。分析表明,氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响。
高芳亮管云芳李国强
关键词：氮化铟氮化RF-MBE单晶薄膜
蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展被引量：2
2013年
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用提供了理论与技术指导。
管云芳高芳亮李国强
关键词：氮化铟单晶薄膜MOCVDRF-MBEHVPE
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