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军事电子预研基金(51408010205DZ0165)

作品数:2 被引量:3H指数:1
相关作者:肖明吴玉广何凤琴董大伟更多>>
相关机构:西安电子科技大学更多>>
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇带隙基准
  • 2篇带隙基准源
  • 2篇低压
  • 2篇曲率校正
  • 2篇温度系数
  • 2篇基准源
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇PTAT
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇吴玉广
  • 2篇肖明
  • 1篇何凤琴
  • 1篇董大伟

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微计算机信息

年份

  • 2篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种低压I_(PTAT)~2曲率校正CMOS带隙基准源的设计被引量:3
2007年
基于Chrt 0.35μmCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似IP2TAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-110范围内,平均温度系数约6ppm/℃,最低工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。
肖明吴玉广何凤琴
关键词:带隙基准源曲率校正温度系数
一种低压曲率校正带隙基准电压源
2007年
基于标准0.6umCMOS工艺,设计依据在亚阈值区工作的一阶温度补偿电路,采用VPTAT电压驱动曲率校正电路,对一阶温度补偿电路进行高阶温度补偿,获得了一种电路结构简单,性能较好的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-150范围内,平均温度系数约9.9ppm/oC;工作电压为1.4V。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。
董大伟吴玉广肖明
关键词:带隙基准源曲率校正温度系数
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