国家自然科学基金(61066001)
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术理学电气工程更多>>
- ZnMn_2O_4陶瓷的固相法合成及其电性能被引量：1
- 2014年
- 采用传统固相合成工艺制备ZnMn2O4陶瓷,借助XRD、SEM等分析手段确定制备ZnMn2O4陶瓷所需的最佳预烧温度和烧结温度,研究不同烧结温度对ZnMn2O4陶瓷交流阻抗谱的影响。介绍了ZnMn2O4薄膜的制备和阻变特性。结果表明:ZnMn2O4陶瓷的最佳预烧温度和烧结温度分别为750、1 100℃;在750℃预烧、1 100℃烧结温度条件下,几乎没有气孔;ZnMn2O4陶瓷模拟等效电路为(R(C(RQ))),低频区电荷扩散属于平面无限扩散过程,高频区界面阻抗近似无穷大;介电常数随烧结温度的增大而减小,介电损耗随烧结温度的增大而增大;磁控溅射可得到ZnMn2O4薄膜且具备阻变特性。
- 李志达王华许积文张玉佩杨玲丘伟
- 关键词：固相合成法交流阻抗谱介电性能
- 溶胶-凝胶法制备Mg_(0.2)Zn_(0.8)O阻变薄膜的研究
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶工艺在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O阻变薄膜,研究了退火温度和薄膜层数对Mg0.2Zn0.8O薄膜生长行为、漏电流性能的影响。研究发现,Mg0.2Zn0.8O薄膜是多晶态结晶结构,薄膜的(100)、(002)和(101)晶面所对应衍射峰的强度随镀制薄膜层数的增多和退火温度的升高明显增强。结果表明,随退火温度的升高,高阻态(HRS)和低阻态(LRS)的漏电流减小;然而,HRS时薄膜的漏电流却随Mg0.2Zn0.8O薄膜层数的增多而变大。退火温度和薄膜厚度改变Mg0.2Zn0.8O阻变薄膜中氧空穴和缺陷的数量,进而影响Mg0.2Zn0.8O薄膜的漏电流。
- 高书明王华许积文单旭赵霞妍
- 关键词：溶胶-凝胶工艺漏电流
- Bi_3.75Ce_0.25Ti_3O_12电致阻变薄膜的制备及其性能研究
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜，研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响，分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明，所制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构，不同退火温度Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的低、高阻态电流比ILRS/IHRS在104-106，在600℃时有2.5 V的最低Vset电压。无论是高阻态还是低阻态，Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的介电常数都随退火温度的升高而增大，介电损耗则随退火温度的升高而减小，高阻态大于低阻态时的介电常数和介电损耗。在低阻态和高阻态的低压区以欧姆传导为主，在高阻态的高压区以空间电荷限制电流（SCLC）传导为主。
- 孙丙成王华许积文杨玲
- 关键词：溶胶-凝胶介电性能
- 溶胶浓度对Ag/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O/ITO阻变异质结性能的影响研究被引量：2
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶工艺制备了Ag/Mg0.2Zn0.8O/ITO异质结,研究了溶胶浓度对Mg0.2Zn0.8O薄膜生长行为、阻变性能和疲劳特性等的影响。研究表明:Mg0.2Zn0.8O为多晶薄膜,平整致密,且随溶胶浓度的增加结晶度逐步增强,但溶胶浓度过大会导致裂纹产生。阻变行为表明,随着溶胶浓度的增加,Vset电压逐渐升高,高阻态的阻值(RHRS)逐渐下降,低阻态的阻值(RLRS)无明显变化,RHRS/RLRS和无疲劳循环次数逐渐降低。不同溶胶浓度所制备Ag/Mg0.2Zn0.8O/ITO异质结遵循相同的导电机制,但低压区域遵循欧姆传导机制的范围有所不同,浓度为0.3 mol/L的薄膜具有较好的综合性能,其Vset低至1.2 V、无疲劳循环次数达到230次、RHRS/RLRS大于10。
- 高书明王华许积文张小文袁昌来杨玲
- 关键词：溶胶-凝胶工艺
