国家重点实验室开放基金(KFJJ200811)
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
- 相关作者：杨春介伟伟黄平更多>>
- 相关机构：四川师范大学电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 六方GaN空位缺陷的电子结构被引量：2
- 2010年
- 用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.750等5种模型(Ga和N不同比例情况下的空位型GaN)的能带结构、差分电子密度、电子态密度,详细讨论了各种空位缺陷对GaN性能的影响.结果显示,带隙宽度随着Ga空位或N空位的增加而不断增大,Ga空位是一种受主缺陷,N空位是施主缺陷;N空位的增加导致GaN电导率的下降.
- 介伟伟杨春
- 关键词：第一性原理态密度
- TiO_2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究被引量：2
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了TiO2分子在GaN(0001)表面的吸附成键过程、吸附能量和吸附位置.计算结果表明不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga—O化学键表现出共价键特征,化学结合能达到7.932—7.943eV,O—O连线与GaN[110]方向平行,与实验观测(100)[001]TiO2//(0001)[110]GaN一致.通过动力学过程计算分析,TiO2分子吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,稳定吸附结构和优化结果一致.
- 黄平杨春
- 关键词：密度泛函理论
