国家重点基础研究发展计划(2006CB604907)
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
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- Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
- 2009年
- 用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-xGex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。
- 葛瑞萍韩平吴军王荣华俞斐赵红俞慧强谢自力张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积生长温度
- AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延被引量：1
- 2009年
- 利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高。生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AlN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3。
- 吴军王荣华韩平葛瑞萍梅琴俞斐赵红谢自力张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积
- GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长
- ＜正＞由于 GaN 和 Ge 之间带隙宽度相差很大（～2.7eV）,Ge/GaN 异质结可用于宽波段太阳能电池、背照式双色探测器和异质结双极性晶体管（HBT）等器件的研制。在 HBT 器件中,异质结材料较大的带宽差异可以...
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- 关键词：GANINNCVD
- 文献传递
- 生长温度对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜性质的影响
- 2007年
- 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过对材料结构及表面形貌的分析研究了缓冲层和外延层的生长温度对Si1-xGex∶C合金薄膜性质的影响。
- 夏冬梅王荣华王琦韩平谢自力张荣
- 关键词：化学气相淀积生长温度
- C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究
- 研究了 InN 薄膜在不同生长条件下的的物理特性。利用 MOCVD 方法在
- 徐峰谢自力陈敦军刘斌刘启佳江若涟张荣郑有阧
- 关键词：MOCVDAFMXPS
- 文献传递
- 高温高压合成Co掺杂ZnO基DMS及其磁性特征
- 2008年
- 采用高温高压方法将由溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体纳米颗粒置于6GPa压强和1000℃环境中处理,并研究其结构和磁学性质.XRD,XPS以及HRTEM等结构测量和分析表明,在掺杂浓度不高时,Co2+离子被较好地掺杂到了ZnO晶格中,没有第二相或者团簇存在;而在中高浓度掺杂时,有CoO相形成.SQUID磁性测量显示,样品具有室温铁磁性.
- 张国煜修向前张荣陶志阔崔旭高张佳辰谢自力徐小农郑有炓
- 关键词：高温高压ZNO稀磁半导体CO掺杂
- 生长温度对Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>∶C合金薄膜性质的影响
- 2007年
- 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过对材料结构及表面形貌的分析研究了缓冲层和外延层的生长温度对Si1-xGex∶C合金薄膜性质的影响。
- 夏冬梅王荣华王琦韩平谢自力张荣
- 关键词：化学气相淀积生长温度
