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国家重点基础研究发展计划(2006CB604903)

作品数:14 被引量:27H指数:3
相关作者:张永刚顾溢王凯李成张晓钧更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 4篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 8篇量子级联
  • 8篇量子级联激光...
  • 6篇INGAAS
  • 5篇探测器
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇半导体
  • 4篇波导
  • 3篇等离子体
  • 3篇等离子体波
  • 3篇等离子体波导
  • 3篇气态源分子束...
  • 3篇化合物半导体
  • 2篇中红外
  • 2篇声子

机构

  • 11篇中国科学院
  • 3篇中国科学院研...

作者

  • 8篇张永刚
  • 6篇顾溢
  • 5篇王凯
  • 4篇李成
  • 4篇李爱珍
  • 3篇刘峰奇
  • 3篇李耀耀
  • 3篇张晓钧
  • 3篇王占国
  • 3篇李路
  • 3篇刘俊岐
  • 2篇王利军
  • 2篇郑燕兰
  • 1篇李成
  • 1篇田招兵
  • 1篇邵烨
  • 1篇齐鸣
  • 1篇李华

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇半导体光电
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇Chines...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Chines...
  • 1篇2008年激...

年份

  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2007
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 μm被引量:1
2010年
The structural and optical characteristics of InP-based compressively strained InGaAs quantum wells have been significantly improved by using gas source molecular beam epitaxy grown InAs/In 0.53 Ga 0.47 As digital alloy triangular well layers and tensile In 0.53 Ga 0.47 As/InAlGaAs digital alloy barrier layers.The x-ray diffraction and transmission electron microscope characterisations indicate that the digital alloy structures present favourable lattice quality.Photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) measurements show that the use of digital alloy barriers offers better optical characteristics than that of conventional random alloy barriers.A significantly improved PL signal of around 2.1 μm at 300 K and an EL signal of around 1.95 μm at 100 K have been obtained.
顾溢王凯李耀耀李成张永刚
关键词:INP基分子束外延生长INGAAS
基于半导体激光器的光声光谱气体检测及其进展被引量:9
2009年
介绍了半导体光声光谱气体检测的基本工作原理和相关技术,阐述了半导体激光光源特别是中红外半导体激光器的研究进展及其与光声光谱方法结合的应用现状,讨论了声信号的常用检测方法与改进方案,并展望了发展和应用的新方向。
张晓钧张永刚
关键词:半导体激光器光声光谱中红外量子级联激光器谐振
双声子共振有源区GaAs/AlGaAs量子级联激光器
量子级联激光器的器件性能在很大程度上取决于有源区结构的设计,有源区结构设计的两个关键因素是激光跃迁高能态电子的有效注入和低能态电子的有效抽取。对于后者本文利用四阱耦合结构在GaAs/AlGaAs量子级联激光器有源区形成双...
刘俊岐李路刘峰奇王利军王占国
关键词:量子级联激光器等离子体波导
文献传递
Single-mode surface-emitting distributed feedback quantum-cascade lasers based on hybrid waveguide structure被引量:1
2011年
Surface-emitting distributed feedback quantum-cascade lasers operating at λ≈7.8 μm are demonstrated. The metal-covered second-order grating is shallow-etched into the surface of a thin InGaAs contact and cladding layer. This forms a hybrid waveguide and used to achieve relatively low waveguide losses and high coupling strengths. The devices exhibit stable single-mode operation from 90 to 130 K with a side mode suppression ratio above 20 dB. A slope efficiency of 194 mW/A is obtained at 90 K, which is twice higher than that of the Fabry-Perot counterpart.
郭万红刘俊岐陈剑燕李路王利军刘峰奇王占国
关键词:量子级联激光器面发射INGAAS边模抑制比
双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究被引量:2
2009年
模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生复合电流和欧姆电流逐渐起主要作用。在InAlAs/InGaAs异质界面处引入的数字递变超晶格以及外延初始生长的InP缓冲层能够有效地改善探测器的暗电流特性。
李成李好斯白音李耀耀王凯顾溢张永刚
关键词:探测器暗电流INGAAS
5.36μm InP基一维光子晶体量子级联激光器(英文)被引量:1
2008年
制作了基于InP基量子级联激光器的一维光子晶体.采用普通光学曝光的方法代替电子束曝光,结合反应耦合等离子刻蚀,在激光器的一侧腔面制作出4个周期的空气/半导体对作为Bragg反射器.对于一个22μm宽,2mm长的正焊器件,80K下的光谱测试证实了其准连续激射,激射波长为5.36μm.
李路邵烨刘俊岐刘峰奇王占国
关键词:量子级联激光器光子晶体准连续波
波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制被引量:1
2008年
采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。
张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰
关键词:光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延
Design of surface emitting distributed feedback quantum cascade laser with single-lobe far-field pattern and high outcoupling efficiency被引量:2
2010年
A 7.8-μm surface emitting second-order distributed feedback quantum cascade laser(DFB QCL) structure with metallized surface grating is studied.The modal property of this structure is described by utilizing coupled-mode theory where the coupling coefficients are derived from exact Floquet-Bloch solutions of infinite periodic structure.Based on this theory,the influence of waveguide structure and grating topography as well as device length on the laser performance is numerically investigated.The optimized surface emitting second-order DFB QCL structure design exhibits a high surface outcoupling efficiency of 22% and a low threshold gain of 10 cm 1.Using a π phase-shift in the centre of the grating,a high-quality single-lobe far-field radiation pattern is obtained.
郭万红刘俊岐陆全勇张伟李路王利军刘峰奇王占国
关键词:量子级联激光器远场模式单叶
异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善被引量:3
2009年
采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先生长一层InP缓冲层也有利于改善材料质量和器件性能.
王凯张永刚顾溢李成李好斯白音李耀耀
关键词:INXGA1-XAS位错
气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)被引量:1
2007年
研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,用X射线双晶衍射迴摆曲线测量外延层的组份.测试结果表明,当AlxGa1-xAs中Al组份从0增至0.38时,Si的掺杂浓度从4×1018cm-3降至7.8×1016cm-3,电子迁移率从1900 cm2/Vs降至100 cm2/Vs.这与AlxGa1-xAs材料的Γ-X直接—间接带隙的转换点十分吻合.在AlxGa1-xAs全组份范囲内,自由载流子浓度隨Al组份从0至1呈“V”形变化,在X=0.38处呈最低点.在x>0.4之后,AlxGa1-xAs的电子迁移随Al组分的增加,一直维持较低值且波动幅度很小.
李华李爱珍张永刚齐鸣
关键词:气态源分子束外延ALGAAS电学性质
共2页<12>
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