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国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705)

作品数:35 被引量:70H指数:6
相关作者:赵颖张晓丹陈新亮耿新华张建军更多>>
相关机构:南开大学河北工业大学中国科学院研究生院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 35篇中文期刊文章

领域

  • 15篇电气工程
  • 14篇理学
  • 10篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇电池
  • 10篇太阳电池
  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 5篇ZNO薄膜
  • 4篇掺杂
  • 4篇W
  • 3篇一维光子晶体
  • 3篇晶体
  • 3篇光子
  • 3篇光子晶体
  • 3篇反应磁控溅射
  • 3篇薄膜太阳电池
  • 3篇A-SI
  • 3篇H
  • 2篇绒面
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电氧化...

机构

  • 22篇南开大学
  • 4篇河北工业大学
  • 1篇东北电力大学
  • 1篇中国地质大学...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 22篇赵颖
  • 16篇张晓丹
  • 11篇陈新亮
  • 9篇耿新华
  • 7篇张建军
  • 7篇张德坤
  • 6篇魏长春
  • 6篇侯国付
  • 6篇黄茜
  • 5篇倪牮
  • 4篇王斐
  • 4篇孙建
  • 3篇闫聪博
  • 2篇李天微
  • 2篇熊绍珍
  • 2篇陈培专
  • 2篇张存善
  • 2篇马峻
  • 2篇曹宇
  • 2篇黄振华

传媒

  • 13篇物理学报
  • 8篇Chines...
  • 6篇光电子.激光
  • 3篇Journa...
  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇中国科技论文

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 9篇2014
  • 8篇2013
  • 10篇2012
  • 5篇2011
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氢气引入对宽光谱Mg和Ga共掺杂ZnO透明导电薄膜的特性影响被引量:5
2014年
为适应宽光谱高效率硅基薄膜太阳电池的应用需求,本文尝试采用直流磁控溅射技术在553 K衬底温度下生长氢化Mg和Ga共掺杂ZnO(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜.通过对薄膜微观结构、表面形貌、电学以及光学性能的测试和分析,详细地研究了氢气(H2)流量(0—16.0 sccm)对HMGZO薄膜结晶特性及光电性能的影响.实验结果表明:生长获得的HMGZO薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,择优取向为(002)晶面生长方向.薄膜的生长速率随着氢气流量的增加呈现逐渐减小趋势,主要归因于溅射产额的减小.适当的氢气引入会引起晶粒尺寸的增加.随着氢气流量由0增加至4.0 sccm,ZnO薄膜电阻率从177?·cm急剧减小至7.2×10-3?·cm,主要是由于H施主的引入显著地增加了载流子浓度;然而进一步增加氢气流量(4.0—16.0 sccm)造成电阻率的轻微增加,主要归因于载流子浓度的减小以及过多氢杂质引入造成杂质散射的增加.所有生长获得的HMGZO薄膜平均光学透过率在波长λ~320—1100 nm范围内可达87%以上.由于Mg的作用及Burstein-Moss效应的影响造成了带隙展宽,带隙变化范围~3.49—3.70 eV,其中最大光学带隙Eg可达~3.70 eV.
田淙升陈新亮刘杰铭张德坤魏长春赵颖张晓丹
关键词:磁控溅射
Structural properties of a-SiO_x:H films studied by an improved infrared-transmission analysis method被引量:1
2014年
An improved method of fitting point-by-point is proposed to determine the absorption coefficient from infrared (IR) transmittance. With no necessity of empirical correction factors, the absorption coefficient can be accurately determined for the films with thin thicknesses. Based on this method, the structural properties of the hydrogenated amorphous silicon oxide materials (a-SiOx:H) are investigated. The oxygen-concentration-dependent variation of the Si-O-Si and the Si-H related modes in a-SiOx:H materials is discussed in detail.
王烁张晓丹熊绍珍赵颖
A new kind of superimposing morphology for enhancing the light scattering in thin film silicon solar cells: Combining random and periodic structure
2014年
In this article, a new type of superimposing morphology comprised of a periodic nanostructure and a random structure is proposed for the first time to enhance the light scattering in silicon-based thin film solar cells. According to the framework of the Reyleigh-Sommerfeld diffraction algorithm and the experimental results of random morphologies, we analyze the light-scattering properties of four superimposing morphologies and compare them with the individual morphologies in detail. The results indicate that the superimposing morphology can offer a better light trapping capacity, owing to the coexistence of the random scattering mechanism and the periodic scattering mechanism. Its scattering property will be dominated by the individual nanostructures whose geometrical features play the leading role.
Huang Zhen-Hua
关键词:RANDOMPERIODIC
衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响被引量:4
2012年
采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(WZO)透明导电氧化物薄膜并研究了衬底温度对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向,且适当的衬底温度是制备优质WZO薄膜的关键因素.随着衬底温度升高,薄膜表面粗糙度先增大后减小;衬底温度较高时,薄膜的结构致密,结晶质量好,电子迁移率高.当衬底温度为325℃时,WZO薄膜获得最低电阻率9.25×10^(-3)Ω·cm,方块电阻为56.24Ω/□,迁移率为11.8 cm^2 V^(-1)·s^(-1),其在可见光及近红外区域(400—1500 nm)范围的平均透过率达到85.7%.
张翅陈新亮王斐闫聪博黄茜赵颖张晓丹耿新华
关键词:反应磁控溅射ZNO薄膜衬底温度
A combined experimental-computational study on nitrogen doped Cu_2O as the wide-spectrum absorption material
2014年
Highly-oriented Cu2O thin films were prepared by low temperature thermal oxidation of evaporated Cu thin films. The films were doped with different doses of nitrogen by ion implantation. An absorption peak ap- pears below the absorption edge in the absorption spectrum of highly nitrogen doped Cu2O. The effect of nitrogen doping on the crystal structure, electronic structure and optical properties of Cu2O were investigated systemati- cally by first-principles calculations. The calculation results indicate that an intermediate energy band exists in the forbidden gap of highly nitrogen doped Cu2O. The electron transition from the valence band to the intermediate band is consistent with the absorption peak by experimental observation. Experimental and computational results indicate that nitrogen doped Cu2O could be a suitable absorbing material candidate for wide-spectrum detectors or intermediate band solar cells.
张平周玉荣闫清波刘丰珍李婧雯董刚强
反应磁控溅射直接生长绒面结构ZnO:Al-TCO薄膜及其特性研究被引量:1
2012年
利用反应磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长获得了"弹坑状"绒面结构的ZnO:Al-TCO薄膜。通过梯度O2生长(GOG,gradual oxygen growth)方法改善ZnO薄膜的透过率和绒度特性,并且具有较好的电学性能。通过优化实验,GOG方法生长ZnO:Al薄膜(薄膜结构:11.0sccm/10R+9.5sccm/15R)的"弹坑状"特征尺寸为300~500nm,可见光范围透过率达到90%,方块电阻约为4.0Ω/□,电子迁移率为17.4cm2/V-1.s-1。大面积镀制的ZnO:Al具有良好的绒面结构和电学均匀性,可应用于光伏(PV)产业化推广应用。
陈新亮王斐耿新华黄茜张德坤魏长春张晓丹赵颖
关键词:磁控溅射技术ZNO薄膜太阳电池
高压射频等离子体增强化学气相沉积制备高效率硅薄膜电池的若干关键问题研究被引量:2
2012年
报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备高效率单结微晶硅电池和非晶硅/微晶硅叠层电池时几个关键问题的研究结果,主要包括:1)器件质量级本征微晶硅材料工艺窗口的确定及其结构和光电性能表征;2)孵化层的形成机理以及减小孵化层的有效方法;3)氢稀释调制技术对本征层晶化率分布及其对提高电池性能的作用;4)高电导、高晶化率的微晶硅p型窗口层材料的获得,及其对减小微晶硅电池p/i界面孵化层厚度和提高电池性能的作用等.在解决上述问题的基础上,采用高压RF-PECVD制备的单结微晶硅电池效率达8.16%,非晶硅/微晶硅叠层电池效率11.61%.
侯国付薛俊明袁育杰张晓丹孙建陈新亮耿新华赵颖
关键词:微晶硅
Numerical simulation of a triple-junction thin-film solar cell based on μc-Si_(1-x)Ge_x :H被引量:3
2013年
In this paper, a-Si:H/a-SiGe:H/μc-SiGe:H triple-junction solar cell structure is proposed. By the analyses of mi- croelectronic and photonic structures (AMPS-1D) and our TRJ-F/TRJ-M/TRJ-B tunneling-recombination junction (TRJ) model, the most preferably combined bandgap for this structure is found to be 1.85 eV/1.50 eV/1.0 eV. Using more realistic material properties, optimized thickness combination is investigated. Along this direction, a-Si:H/a-SiGe:H/μc-SiGe:H triple cell with an initial efficiency of 12.09% (Voc = 2.03 V, FF = 0.69, Jsc = 8.63 mA/cm^2, area = 1 cm^2) is achieved in our laboratory.
黄振华张建军倪牮曹宇胡子阳李超耿新华赵颖
提高非晶硅/微晶硅叠层太阳电池光稳定性的研究被引量:6
2012年
如何提高硅基薄膜太阳电池的光稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题.为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性,本文首先给出了良好光稳定性非晶硅项电池的结果,然后重点研究了N/P隧穿结和微晶硅底电池本征层硅烷浓度梯度对叠层电池光稳定性的影响.经过初步优化,连续光照1000 h后非晶硅/微晶硅叠层电池的最小光致衰退率只有7%.
侯国付卢鹏韩晓艳李贵君魏长春耿新华赵颖
PIN型和NIP型硅薄膜太阳电池中绒面陷光结构和陷光性能研究被引量:4
2013年
对于硅薄膜太阳电池来说,无论是PIN型还是NIP型太阳电池,采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟.结果表明:PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40nm时可获得理想的陷光效果;在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现,使用40和61.5nm背电极可获得相当的短路电流密度,理论分析和实验得到了一致的结果.
于晓明赵静侯国付张建军张晓丹赵颖
关键词:陷光结构硅基薄膜太阳电池
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