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国家重点基础研究发展计划(2007CB936301)

作品数：2 被引量：5H指数：2
相关作者：贺小庆温才段晓峰卢朝靖文志伟更多>>
相关机构：中国科学院湖北大学青岛大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划山东省自然科学杰出青年基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电磁性能
  • 1篇异质结
  • 1篇失配位错
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇填充碳纳米管
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇高分辨成像
  • 1篇HRTEM
  • 1篇成像
  • 1篇磁性
  • 1篇磁性能
  • 1篇GAAS
  • 1篇ALSB

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇青岛大学
  • 1篇湖北大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇曹惠
  • 1篇卢朝靖
  • 1篇段晓峰
  • 1篇张捷
  • 1篇温才
  • 1篇贺小庆
  • 1篇车仁超
  • 1篇张夏丽
  • 1篇夏峰
  • 1篇梁重云
  • 1篇文志伟

传媒

  • 2篇电子显微学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
铁纳米线填充碳纳米管材料的制备与结构分析被引量：2
2010年
本文系统介绍了金属填充碳纳米管的化学气相沉积制备与电子显微学研究。填充金属的形状可控、物相可调。能量损失谱、高分辨成像与微衍射等分析表明:碳管内部填充物完全转变为体心立方的单质铁,铁纳米线与碳管具有一定的取向关系。电子显微学研究支持底部生长机制通过在化学气相沉积过程中控制铁/碳管纳米复合材料的几何形状与结晶程度可以有效地改变其电磁性能。
车仁超梁重云张夏丽曹惠夏峰张捷文志伟
关键词：碳纳米管高分辨成像电磁性能
AlSb／GaAs异质外延薄膜应变的HRTEM几何相位分析被引量：3
2009年
用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变分布。Bragg滤波条纹像确认了60°和90°失配位错的存在。分析讨论了位错核心区域应变分布差异的可能机制。
贺小庆温才卢朝靖段晓峰
关键词：异质结失配位错
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