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国家教育部博士点基金(20105201110003)

作品数：12 被引量：13H指数：3
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相关机构：贵州大学贵州财经大学贵州师范大学更多>>
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文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 10篇理学

主题

  • 6篇GAAS(0...
  • 4篇INAS
  • 4篇INGAAS
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇STM
  • 3篇表面形貌
  • 2篇相变
  • 2篇MBE
  • 2篇AS
  • 1篇动力学分析
  • 1篇形貌
  • 1篇应力
  • 1篇扫描隧道显微...
  • 1篇退火
  • 1篇热分解
  • 1篇脱氧
  • 1篇温度
  • 1篇相变过程
  • 1篇相变研究

机构

  • 12篇贵州大学
  • 10篇贵州财经大学
  • 9篇贵州师范大学

作者

  • 12篇丁召
  • 12篇郭祥
  • 11篇罗子江
  • 10篇王继红
  • 9篇周勋
  • 5篇刘珂
  • 5篇王一
  • 4篇周清
  • 2篇黄梦雅
  • 2篇赵振
  • 2篇胡明哲
  • 1篇张毕禅

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇功能材料
  • 3篇材料导报
  • 3篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低As压退火对GaAs(001)表面形貌与重构的影响
2015年
在低As压条件下退火处理原子级平坦的Ga As(001)β2(2×4)重构表面.利用扫描隧道显微镜对表面进行研究,发现随着低As压退火时间的延长,表面形貌与表面重构的演变同步进行.表面形貌经历了从有序平坦转变为无序平坦,然后逐渐恢复到有序平坦状态的过程.表面重构则由β2(2×4)重构逐渐转变为(2×6)重构,然后再转变为锯齿状的(2×6)重构,并且表面形貌与表面重构的演变存在一定的相互关系.
周勋罗子江王继红郭祥丁召
关键词：表面形貌
GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢被引量：1
2014年
通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1.33μPa)GaAs表面将不会发生预粗糙转变。采用二维艾辛模型建立方程结合实验数据对这一现象进行理论解释,理论计算出GaAs预粗糙化相变的临界转变温度为529℃,与实验中获得的数据吻合。采用理论上获得的临界转变温度,利用临界减慢理论对实验现象进行了合理的理论解释,认为在特定条件下GaAs表面系统存在预粗糙化临界转变温度,当衬底温度接近这一温度时,临界减慢现象将会发生;当温度低于临界转变温度时,无论延长多少时间表面形貌相变过程将不会发生。
罗子江周勋王继红郭祥丁召
关键词：临界温度
InAs(001)表面脱氧动力学分析
2013年
利用反射式高能电子衍射(RHEED)实时监控对InAs衬底进行两步完全脱氧的过程,对比了有低(高)砷等效束流压强保护下采用两步法对InAs衬底缓慢长时间的高温脱氧过程.InAs衬底两步完全脱氧法的第一步为传统的缓慢升温脱氧方法,第二步为高温In束流辅助脱氧方法.衬底高温脱氧的RHEED衍射图样说明了高温In束流辅助脱氧最终完全清除传统的缓慢升温法无法去掉的残留氧化物,通过脱氧完成同质外延生长后的扫描隧道显微镜图像,说明高砷等效束流压强保护下的脱氧方法是可行的;分析了高温In束流能完全清除衬底表面残余In氧化物的原理.
魏文喆郭祥刘珂王一罗子江周清王继红丁召
关键词：热分解
GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程被引量：2
2014年
采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过GaAs(001)在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs(001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态;多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式;当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。
罗子江周勋王继红郭祥王一魏文喆丁召
关键词：STM
MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点
2013年
用分子束外延(MBE)设备以Stranski-Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次获得大小及密度可调的In0.43Ga0.57As/GaAs(001)矩阵式量子点DWELL结构。样品外延结构大致为500nm的GaAs、多个周期循环堆垛InGaAs量子点和60ML的GaAs隔离层等。生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控,样品经退火后使用扫描隧道显微镜(STM)进行表面形貌的表征。
周清刘珂罗子江郭祥周勋丁召
关键词：分子束外延
InGaAs薄膜表面的粗糙化过程被引量：3
2013年
采用STM分析InGaAs表面形貌演变研究InGaAs表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程,特别针对In(0.15)Ga(0.85)As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究.发现In(0.15)Ga(0.85)As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程.在低温低As等效束流压强下,薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程,起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式,随着退火时间的延长,大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态;在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛,退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态,表面形貌将长期处于预粗糙状态.
罗子江周勋王继红郭祥张毕禅周清刘珂丁召
生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响被引量：3
2014年
利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证实了在同一组分下,薄膜生长厚度的改变并不剧烈影响薄膜的重构,然而,随着生长厚度的增加,外延层的表面拉伸应力进一步增大,平台平均尺寸逐渐减小,表面应力的累积使表面台阶数目逐渐增多,台面产生更多扭折,原子在具有各向异性的择优扩散机制与表面应力的共同作用下,In0.86Ga0.14As/InAs薄膜锯齿状的台阶边缘越明显,表面越粗糙化。
王一郭祥刘珂黄梦雅魏文喆赵振胡明哲罗子江丁召
关键词：分子束外延IN0
GaAs(001)表面重构
2014年
GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C(4×4)重构、不同(2×4)重构到逐渐富Ga的(n×6)重构、(4×2)重构,结合RHEED衍射花样、STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒、实空间图像以及理论模型都进行了深入的探讨和研究,为将来进行GaAs(001)表面的更深入研究打下基础并提供数据和理论支持。
罗子江周勋王继红郭祥丁召
关键词：RHEEDSTMGAAS(001)
高In组分InGaAs薄膜的分子束外延生长及其表面分析被引量：2
2013年
采用分子束外延(MBE)方法,通过反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡测算生长速率,利用RHEED衍射实时监控生长过程,在InAs(001)和InP(001)单晶衬底上生长高In组分的InGaAs薄膜,并通过扫描隧道显微镜(STM)对其表面形貌和表面重构进行了细致分析,STM图片证实采用该方法获得的高In组分InGaAs薄膜处于高质量的平整状态。研究发现InGaAs与衬底之间的拉伸应力是促使薄膜表面呈现了大量的锯齿状边缘的主要原因;高分辨的STM分析还发现,高In组分的InGaAs薄膜是多种重构混合的表面,InGaAs/InAs是以β(2×4)重构为主,而InGaAs/InP是以(4×3)重构为主,它们在RHEED衍射图像上都是模糊的(2×3)或(4×3)/(2×3)表面重构。
罗子江周勋郭祥王继红魏文喆王一丁召
关键词：INASINPINGAASMBESTM
不同应力下的In_xGa_(1-x)As薄膜表面形貌被引量：1
2015年
利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分的InGaAs呈现不同的表面形貌。虽然生长的初始表面都是原子级平坦,但是由于晶格常数差异触发不同类型的表面应力,促使In0.14Ga0.86As/GaAs薄膜中台阶边缘平滑扭曲,而在In0.86Ga0.14As/InAs薄膜表面台阶却呈锯齿状;同时,由于不同类型表面应力的作用,低In组分薄膜形成更多的二维(2D)岛。
郭祥王一魏文喆黄梦雅赵振王继红胡明哲丁召
关键词：MBEINGAAS表面形貌
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