国防科技技术预先研究基金(9140c820301)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：国防科学技术大学西北核技术研究所更多>>
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- C/C预制体孔隙率与气相硅浸渗制备C/SiC复合材料性能关系的模型研究被引量：3
- 2013年
- 建立了C/C预制体孔隙率与C/SiC复合材料组成的关系模型,并通过表征不同孔隙率的C/C预制体气相硅浸渗制备的C/SiC复合材料的组成和力学性能对模型进行了验证。研究发现,实验结果与模型预测结果基本一致。随着C/C预制体孔隙率的增大,C/SiC复合材料的密度出现先上升后下降的规律,力学性能也遵从同样的规律。XRD分析和相含量测试结果均表明复合材料的相含量与模型预测结果基本一致。实验结果与模型预测结果产生偏差的主要原因是裂解碳反应不完全。
- 刘伟刘荣军曹英斌杨会永
- 关键词：孔隙率
- 新型基片材料——C/SiC复合材料被引量：1
- 2012年
- 阐述了目前常用的3大类基片材料,即塑料基、金属基和陶瓷基材料,比较了3类材料的性能,得出了陶瓷基材料是综合性能较好的基片材料的结论,并比较了目前陶瓷基片材料中的Al2O3、AlN、BeO、SiC的性能,认为SiC作为基片材料具有良好的发展前景;针对单相SiC陶瓷固有脆性导致难以大尺寸成型的问题,提出了使用C/SiC复合材料制备基片材料的可能性,并综述了C/SiC复合材料的制备工艺,比较了3种工艺(PIP、CVI、LSI)所制备的材料的性能,认为液相渗硅(LSI)C/SiC复合材料制备大尺寸封装基片材料是未来最具前景的发展方向。
- 杨会永刘荣军周新贵曹英斌
- 关键词：C/SIC复合材料电子封装
