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碳化硅薄膜制备及其场发射特性: 2008年; 采用热丝化学气相沉积法在Si(111)、Ti(101)衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性.FTIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收,其吸收峰为804.95 cm-1.从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密.此外,在高真空系统中(6.0×10-4Pa)对生长的SiC薄膜进行场致发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性:样品的开启电压为82.1 V/μm,最大电流密度为631.5μA/cm2.; 赵武张志勇闫军锋翟春雪贠江妮邓周虎; 关键词：碳化硅薄膜场致发射 I-V特性

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陕西省教育厅规划基金(04jk256)