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国家高技术研究发展计划(2004AA302G20)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：林青刘卫丽封松林刘奇斌宋志棠更多>>
相关机构：汉城大学中国科学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇自加热
  • 1篇自加热效应
  • 1篇埋层
  • 1篇SI3N4
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI结构
  • 1篇新结构

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇汉城大学

作者

  • 1篇宋志棠
  • 1篇刘奇斌
  • 1篇封松林
  • 1篇刘卫丽
  • 1篇林青

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文)被引量：2
2005年
为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能.对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输出电流的输出特性和温度分布用TCAD仿真软件进行了模拟.模拟结果表明,新结构SOSN的MOSFET器件沟道温度和NDR效益都得到很大的降低,表明SOSN能够有效地克服自加热效应和提高MOSFET漏电流.
刘奇斌林青刘卫丽封松林宋志棠
关键词：SI3N4自加热效应
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