国家重点基础研究发展计划(2011CB013100)
- 作品数：15 被引量：52H指数：4
- 相关作者：张建华杨连乔蔡念王晗王浪更多>>
- 相关机构：上海大学广东工业大学清华大学研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技支撑计划广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 基于ARM+DSP的电源功率分析仪设计被引量：1
- 2015年
- 设计了一种基于ARM+DSP双CUP架构的电源功率分析系统,利用DSP高效强大的数据处理能力与ARM的实时多任务处理能力、丰富的接口和良好的人机交互能力,构建一个高效快速的电源功率分析仪,不仅能够快速检测出视在功率、有功功率、无功功率和功率因素等参数,而且能提供一定的谐波分析能力。
- 王晗尹建华苏界伟蔡念陈新
- 关键词：电源功率分析仪ARMDSP
- AgO_x界面插入层对GZO电极LED器件性能的影响
- 2012年
- 采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜,通过在p-GaN和GZO界面之间插入AgOx薄层来改善LED器件的接触性能。研究结果表明:氮气退火后,采用界面插入层的AgOx/GZO薄膜电阻率为5.8×10-4Ω.cm,在可见光的透过率超过80%。AgOx界面插入层有效地降低了GZO与p-GaN之间的接触势垒,表现出良好的欧姆接触特性,同时使LED器件的光电性能获得了显著的提高。在50 mA的注入电流下,相比于常规的GZO电极LED器件,AgOx/GZO电极LED器件的正向电压由9.68 V降至6.92 V,而发光强度提高了13.5%。
- 顾文石继锋李喜峰张建华
- 关键词：欧姆接触
- 有机电致发光二极管散热机理模拟研究
- 2015年
- 研究了有机电致发光二极管(OLEDs)工作过程中的生热与热传输机制。OLEDs器件产热由载流子复合产生,散热渠道主要由热辐射、对流两部分构成。基于传热学理论计算,发现发光亮度为1 000 cd/m2时,发光占输入功率的15%,热辐射占30%,热对流占55%,器件温度上升了39.4℃,并且计算结果与实验数据有良好的匹配。决定器件工作温度的因素有环境、材料、工作功率等。具有不同发光材料的OLEDs器件,其亮度衰减速率不同。
- 林洋张静蔡苗魏斌杨连乔
- 关键词：有机电致发光二极管热辐射热对流
- 温湿度环境试验设备的现状及发展被引量：13
- 2013年
- 介绍了国内外温湿度环境试验设备的发展现状,重点综述了温湿度环境试验设备的箱体结构、控制系统、制冷系统、加热系统、加湿系统、除湿系统、空气循环系统以及传感器测试系统的研究现状及其存在的技术问题,并对温湿度环境试验设备技术的发展趋势进行了预测。
- 刘文斌曹广忠李永光胡益民敬刚刘岩
- 关键词：制冷技术
- 高性能LED封装点胶中流体运动与胶液喷射研究
- 2014年
- LED照明具有高亮度、低能耗、体积小、环保等特点,因此被认为是未来替代传统照明方式的最佳光源。而对于高粘度、高频、微量、高一致性的LED荧光粉点胶,目前还存在无法出胶、点胶性能不稳定、胶滴一致性不好等问题。首先阐述了LED照明的应用特点以及当前照明封装产业的技术水平,随后结合将来主流的喷射式点胶技术,利用Flow-3D软件建立了LED喷射点胶过程的计算机仿真模型。随后得到了点胶过程中胶液在喷胶阀内的流动情况,在此基础上又探讨了各因素对胶液喷射的影响规律。其结果可以为后续的研究奠定基础,同时对具体的LED工业生产及封装装备制造也有一定的参考价值。
- 彭先安单修洋沈平李涵雄
- 关键词：有限元分析
- 化学气相沉积法制备石墨烯的铜衬底预处理研究被引量：9
- 2014年
- 铜作为一种在化学气相沉积法制备石墨烯中被广泛采用的衬底材料,其表面形貌和质量对石墨烯的品质有较大的影响.提出了一种简单有效的铜衬底预处理方法,在生长石墨烯前,将铜衬底在浓度为1 mol/L的硝酸铁水溶液中进行预刻蚀,研究了不同刻蚀时间的影响.发现当预刻蚀时间为90 s时,经石墨烯生长后得到了相对平整且无杂质颗粒的表面;与盐酸预刻蚀及电化学抛光方法进行了比较,实验结果表明,硝酸铁溶液预刻蚀的效果优于盐酸处理,可与电化学抛光效果比拟,且操作更为简单快捷.经过不同型号铜衬底实验验证,此方法具有普遍适用性.
- 王浪冯伟杨连乔张建华
- 关键词：石墨烯铜预处理化学气相沉积
- 铜基石墨烯的CVD法制备工艺参数研究被引量：1
- 2014年
- 采用乙炔作为碳源,分析了碳源浓度、生长时间等参数对铜基石墨烯成核密度、生长速率及单层覆盖率的影响,通过热氧化法系统展示了石墨烯形核、长大、生长结束的全过程.研究发现;碳源浓度较小时成核密度较低,所得石墨烯晶粒更大,但单个多层点的面积较大,且多以双层为主;在石墨烯生长过程中,氢气既可辅助碳氢化合物分解,同时也会刻蚀部分成核点,从而促进石墨烯质量的提高;基于单层率与晶粒尺寸之间的平衡,采用乙炔与氢氩混合气(体积比为1∶9)流速比为5∶100作为生长石墨烯的气体工艺参数,获得了透过率约为97.1%,缺陷较少且以单层为主的大面积石墨烯.
- 杨连乔冯伟王浪张建华
- 关键词：石墨烯CVD生长碳源浓度热板法
- 高性能大功率LED研究进展——973计划“高性能LED制造与装备中的关键基础问题研究”项目成果简介被引量：2
- 2016年
- 半导体照明取代传统照明仍受制于光效低、成本高、寿命短等问题。这些问题反映在制造领域体现为制造缺陷、核心设备、高效散热、可靠性等关键问题。由深圳清华大学研究院牵头承担的973计划项目(2011CB013100),围绕3个科学问题,设置了大尺寸同质衬底生成及缺陷控制原理与装备实现、大尺寸超硬衬底晶圆平坦化中低缺陷、高效去除的新原理与装备实现、6吋及以上大尺寸外延晶圆的跨尺度制造技术和MOCVD核心装备及探索多场耦合下反应腔的几何构造和气体输运方式与工艺参数的关系以及参数检测控制方法、封装装备执行系统的多参数耦合设计及高加速度复合运动生成、LED精简热模及型跨尺度热输运系统集成制造、LED复合过应力加速寿命试验方法及可靠性制约因素耦合规律等方面的研究内容。目标为面向220 lm/W的高性能高可靠的LED制造,揭示LED发光效率、可靠性与制造缺陷及制造因素的关联规律,建立新原理装备、新方法,突破关键技术瓶颈,奠定支撑新一代LED制造技术和产业发展的理论和技术基础,为我国在LED制造装备领域实现跨越式发展,成为国际LED制造的主要生产和创新中心提供支撑。本文从项目研究背景、相关基础理论研究进展以及关键设备研究进展等方面进行全面论述。
- 刘岩敬刚潘国顺周霖
- 关键词：HVPEMOCVD
- 抛光铜衬底表面形貌对CVD制备石墨烯的影响被引量：3
- 2015年
- 铜是目前用于化学气相沉淀(CVD)法制备石墨烯应用最广泛的一种催化剂,其表面形貌状态直接影响石墨烯的质量。电化学抛光法是一种处理金属表面形貌的重要方法。系统研究了抛光工艺参数对铜箔表面质量以及相应石墨烯品质的影响,探讨了铜箔表面状态与石墨烯透过率、导电性及石墨烯层数的关联特性。研究发现,抛光处理后铜箔生长的石墨烯的品质较未处理铜箔生长的有明显提高。在一定抛光电流密度范围,抛光电流密度越大,铜箔表面越平整,在抛光处理后的铜箔上生长的石墨烯结晶缺陷态逐渐减少,单层性与均匀性越来越好好,透过率和导电性也显著提高。
- 冯伟张建华杨连乔
- 关键词：石墨烯电化学抛光
- 基于VSS窗的改进相位差电力谐波分析方法被引量：4
- 2014年
- 利用快速傅里叶变换(FFT)进行谐波分析时,在非同步采样和非整数周期截断条件下存在频谱泄露和栅栏效应,影响谐波的分析精度。采用传统的窗函数对信号进行加权,虽然可以减小频谱泄露和栅栏效应的影响,但其效果受到窗函数旁瓣特性的制约。提出一种基于衍生半正弦窗的改进相位差电力谐波分析方法。该方法引入一种新的窗——衍生半正弦窗,对信号进行加权,然后采用改进相位差算法分析谐波参数——幅值、频率、相位。衍生半正弦窗可以通过调整指数获得满足要求的旁瓣特性,能较好的抑制频谱泄露,在工程应用中具有很大的灵活性。推导了信号基波及各次谐波频率、幅度、初相位的求解公式。仿真实验结果表明,提出的基于衍生半正弦窗的改进相位差算法具有较高的计算精度。
- 黄威威蔡念王晗叶倩凌永权
- 关键词：相位差谐波分析频谱泄露栅栏效应
