国家自然科学基金(60340460439)
- 作品数：3 被引量：13H指数：3
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- SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征被引量：4
- 2005年
- 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠徐伟中赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜SIO2/SI脉冲激光沉积光致发光
- 铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究被引量：5
- 2004年
- 本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当衬底温度为 5 0 0℃时 ,在纯N2 O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高 ,为 7 5 6× 10 17cm-3 ,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为 94 3Ω·cm和 0 0 9cm2 V-1s-1。
- 张正海叶志镇朱丽萍赵炳辉诸葛飞吕建国
- 关键词：ZNO薄膜掺氮载流子浓度衬底温度直流反应磁控溅射
- 脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征被引量：4
- 2005年
- 在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm。此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠诸葛飞赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜C轴取向室温脉冲激光沉积
