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国家自然科学基金(50271081)

作品数：9 被引量：39H指数：4
相关作者：韩秀峰蔡建旺詹文山曾中明王天兴更多>>
相关机构：中国科学院北京有色金属研究总院北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇电阻
  • 3篇隧穿
  • 3篇隧穿磁电阻
  • 3篇磁电
  • 3篇磁电阻
  • 2篇隧道结
  • 2篇自旋
  • 2篇L1
  • 2篇磁性隧道结
  • 1篇电性质
  • 1篇电子输运
  • 1篇电子输运特性
  • 1篇多层膜
  • 1篇英文
  • 1篇原子扩散
  • 1篇势垒
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇双势垒
  • 1篇随机存储器

机构

  • 8篇中国科学院
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇西南科技大学

作者

  • 4篇韩秀峰
  • 3篇蔡建旺
  • 2篇张丽娇
  • 2篇魏红祥
  • 2篇曾中明
  • 2篇王天兴
  • 2篇詹文山
  • 1篇应启明
  • 1篇李养贤
  • 1篇严辉
  • 1篇孟凡斌
  • 1篇张泽
  • 1篇于敦波
  • 1篇赖武彦
  • 1篇杜永胜
  • 1篇杜关祥
  • 1篇竺云
  • 1篇张爱国
  • 1篇李飞飞
  • 1篇丰家峰

传媒

  • 6篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
86% TMR at 4.2 K for Amorphous Magnetic-Tunnel-Junctions with Co_(60)Fe_(20)B_(20) as Free and Pinned Layers
2005年
Single barrier magnetic-tunnel-junctions (MTJs) with the layer structure of Ta(5)/Cu(30)/Ta(5)/Ni79Fe21(5)/Ir22 Mn78(12)/Co60Fe20B20(4)/Al(0.8)-oxide/Co60Fe20B20(4)/Cu(30)/Ta(5) [thickness unit: nm] using the amorphous Co60Fe20B20 alloy as free and pinned layers were micro-fabricated. The experimental investigations showed that the tunnel magnetoresistance (TMR) ratio and the resistance decrease with increasing dc bias voltage from 0 to 500 mV or with increasing temperature from 4.2 K to RT. A high TMR ratio of 86.2% at 4.2 K, which corresponds to the high spin polarization of Co60Fe20B20, 55%, was observed in the MTJs after annealing at 270℃ for 1 h. High TMR ratio of 53.1%, low junction resistance-area product RS of 3.56 kΩμm2, small coercivity HC of ≤4 Oe, and relatively large bias-voltage-at-half-maximum TMR with the value V1/2 of greater than 570 mV at RT have been achieved in such Co-Fe-B MTJs.
Rehana Sharif
关键词：SPIN-POLARIZATIONMRAM
缓冲层Ta对FePt薄膜L1_0有序相转变及矫顽力的影响被引量：7
2006年
制备了Ta/FePt/C系列多层膜,研究了样品在不同温度退火后的磁特性和微结构.实验结果表明,不同厚度的Ta缓冲层具有不同的微结构特征,显著影响FePt层的L10有序相的形成及相应的矫顽力.当Ta缓冲层较薄,Ta层为非晶态,且较为粗糙,由此使FePt在界面处产生较多的缺陷并导致较高密度的晶界,在退火过程中,受束缚相对较弱的非晶态的Ta原子比较容易沿FePt的缺陷和晶界处向FePt层扩散,使FePt在相变过程中产生的应力比较容易释放,同时,Ta在扩散过程中产生的缺陷,降低了FePt有序化的转变势垒,在较低温度下便形成有序相,因而在合适的Ta层厚度下(1—2nm),样品的矫顽力较之无Ta缓冲层的情形可增强数倍甚至一个数量级.随着Ta缓冲层厚度的增加,其粗糙度减小,随后晶态结构亦开始形成,Ta原子大多被自身晶格束缚,于是Ta缓冲层对FePt的有序相转变以及矫顽力的影响显著减小直至基本消失.
张丽娇蔡建旺孟凡斌李养贤
关键词：原子扩散
界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响
2007年
采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场。通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×104A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃。
代波蔡健旺赖武彦
关键词：交换偏置反铁磁
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备被引量：13
2004年
就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究 ,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论 .利用现有的光刻设备和工艺条件在 4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结 ,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在 10 %以内 ,隧穿磁电阻的绝对误差在 7%以内 ,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性 。
王天兴魏红祥李飞飞张爱国曾中明詹文山韩秀峰
关键词：磁性隧道结隧穿磁电阻电性质硅衬底磁随机存储器热氧化
成分调制的La_(1-x)Sr_xMnO_3复合隧道结被引量：8
2005年
利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0·7Sr0·3MnO3(100nm)/La0·96Sr0·04MnO3(5nm)/La0·7Sr0·3MnO3(100nm)的隧道结外延薄膜,然后再次利用磁控溅射方法,在三层单晶膜上方继续沉积Ir22Mn78(15nm)/Ni79Fe21(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝光和Ar离子束刻蚀等微加工技术,制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结.在4·2K和外加磁场8T的测试下,La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%,直接从实验上证实了铁磁性La0·7Sr0·3MnO3金属氧化物的自旋极化率(97%)可接近100%,具有很好的半金属性质.
于敦波丰家峰丰家峰杜永胜韩秀峰严辉应启明
关键词：LA1-XSRXMNO3半金属隧穿磁电阻磁性隧道结
一种用于制备安德鲁反射样品的新方法(英文)
2006年
提供了一种用于安德鲁反射测量样品制备新方法.该方法采用聚焦粒子束刻蚀和磁控溅射,可以获得可控的、干净的、无应力的纳米接触用于自旋极化探测.所制备的样品中,磁性和非磁性材料样品的反射谱都表现出复杂的峰和谷结构,这些结构可能源于与界面相关的零偏压反常以及与激发态相关的准离子相互作用.对另一个Co40Fe40B20合金样品采用简单的钕针尖压针方法进行了对比性测量,反射谱中没有观察到谷结构,但谱结构出现较明显的热扩展,这种热扩展可能来源于界面处的非弹性输运.所有的反射谱目前还不能由现有的理论给出令人满意的解释.利用点接触反射方法获得可靠的自旋极化信息还有赖于接触界面特征的进一步分析.而一个更切合实际的、更完善的理论成为迫切的需要.
王天兴魏红祥任聪韩秀峰Clifford ELangford R MBari M ACoey J M D
关键词：自旋极化
双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管中的应用被引量：1
2005年
利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al_O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为6和3μm大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下对其自旋电子输运特性进行了研究.DBMTJ的隧穿磁电阻(TMR)比值在室温和4.2K分别达到27%和42.3%,结电阻分别为13.6kΩ·μm2和17.5kΩ·μm2,并在实验中观察到平行状态下存在低电阻态及共振隧穿效应,反平行态下呈现高电阻态以及TMR随外加偏压或直流电流的增加而发生振荡现象.由此,设计了一种基于这种双势垒磁性隧道结隧穿特性的自旋晶体管.
曾中明韩秀峰杜关祥詹文山王勇张泽
关键词：自旋晶体管双势垒磁电阻效应电子输运特性隧穿磁电阻隧穿效应
[(Fe/Pt/Fe)/Ag]_n多层膜低温合成分离的L1_0相FePt纳米颗粒被引量：12
2005年
制备了 [(Fe Pt Fe) Ag]n 多层膜 ,研究了不同温度退火后的微结构和磁特性 .实验结果表明温度高于 4 0 0℃退火后 ,样品开始形成L10 相的FePt纳米颗粒与Ag基体的复合结构 .ΔM曲线的测量表明FePt颗粒之间不存在交换作用 ,非常清楚地说明非磁基体Ag有效地隔离了FePt磁性颗粒 .有序相的低温合成可能和多层膜结构所造成的界面扩散以及Ag层引入的界面缺陷有关 ,同时 ,Ag原子较强的迁移性以及FePt与Ag之间表面自由能的显著差异 。
竺云蔡建旺
关键词：多层膜磁特性表面自由能磁性颗粒
室温生长MgO底层诱导(001)取向FePt薄膜的有序化过程对FePt成分的依赖被引量：1
2007年
室温下通过磁控溅射在表面热氧化的Si基片上生长了MgO/FexPt100-x双层膜和FexPt100-x单层膜系列样品,FexPt100-x的原子成分x=48—68.研究了热处理前后不同成分FePt薄膜的晶体结构和磁性的变化,尤其是MgO底层的引入对FePt的晶体结构和磁性的影响.实验结果显示,直接生长在基片上的FePt薄膜具有较强的(111)织构,而经过MgO底层诱导,所有不同成分的制备态FePt薄膜都表现出一定的(001)取向.热处理后,单层膜样品的强烈(111)织构基本不变,当Fe和Pt接近等原子比即52∶48时,薄膜最容易发生有序化;对于生长在MgO底层的FePt薄膜,所有样品的(001)织构在退火后显著增强,有序化对FePt成分的依赖完全不同于单层膜的情形.当Fe和Pt原子比为59∶41时,生长在MgO底层上的FePt薄膜最容易有序化,表现出非常好的垂直易磁化特性,通过MgO底层对FePt薄膜微结构进而对其有序化的影响,对此进行了解释.
张丽娇蔡建旺
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