福建省教育厅科技项目(JK2013054)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：高潭华朱梓忠张鹏吴顺情更多>>
- 相关机构：武夷学院厦门大学更多>>
- 发文基金：福建省教育厅科技项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 表面氢化双层硅烯的结构和电子性质被引量：2
- 2015年
- 采用密度泛函理论(DFT)广义梯度近似GGA和HSB06方法研究了氢化双层硅烯(silicene)的结构和电子性质,结果表明:氢化后的双层硅烯可能存在三种稳定的构型,AA椅型、AB椅型和AA船型,其中AA椅型和AB椅型结构最为稳定,氢化后这三种稳定构型材料的性质由零带隙的半金属(semimetal)转变为禁带宽度分别为1.208,1.437和1.111 eV的间接带隙的半导体,采用混合泛函HSB06计算修正得到的带隙分别为1.595,1.785和1.592 eV.进一步分析了在双轴应变下氢化双层硅烯的带隙随应变的关系,得到应变可以连续的调节材料的带隙宽度,这些性质有可能应用于未来的纳米电子器件.
- 高潭华
- 关键词：氢化电子结构第一原理计算
- 外来原子替代碳的氟化石墨烯的磁性和电子性质被引量：1
- 2014年
- 采用基于自旋极化密度泛函理论的第一性原理计算,研究了在氟化石墨烯中少量C原子被M原子(M=B,N,Si,P)替代后原子片的磁性和电子性质.结果表明:不同原子掺杂后的氟化石墨烯的电子结构会发生很大的变化,并有很大的不同.掺杂B和P原子后,纳米原子片由半导体转变为金属,并且由非磁性转变为磁性;掺杂N原子后,材料则仍为半导体,但具有磁性;进一步讨论了掺杂原子浓度与磁性的关系.对于Si原子掺杂的氟化石墨烯原子片,其半导体性质不变,但禁带宽度也会发生改变.
- 高潭华
- 关键词：掺杂电子结构
- 表面氢化的双层氮化硼的结构和电子性质
- 2014年
- 采用第一性原理方法研究了表面氢化的双层氮化硼的结构和电子性质.考虑了表面氢化的双层BN可能存在的六种主要构型,计算结果表明:AB-BN和AA-BN两种构型最为稳定.进一步分析了氢化后的双层BN最稳定构型的能带和电子性质.AB-BN和AA-BN两种构型的原子薄片均为直接带隙半导体,GGA计算的带隙值分别为1.47 eV和1.32 eV.因为GGA通常严重低估带隙值,采用hybrid泛函计算得到带隙值分别为2.52eV和2.34 eV.在最稳定的AB-BN和AA-BN两种构型中,B-N键呈现共价键,而B-H和N-H则具有明显的离子键的特点.在双轴应变下氢化双层BN原子薄片可以被连续地调节带隙,当晶格常数被压缩约8%时,原子薄片由半导体性转变为金属性.
- 高潭华吴顺情张鹏朱梓忠
- 关键词：氢化电子结构第一原理计算
