国家自然科学基金(11274365)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 相关作者：王岩国刘红荣陈晓张志华谷林更多>>
- 相关机构：中国科学院湖南师范大学大连交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学杰出青年基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 透射电镜质厚衬度成像和衍射衬度成像及相互转换的实验技术方法被引量：2
- 2014年
- 透射电子显微镜作为观察材料微结构的主要手段之一,其显微图像可直观揭示材料微结构信息和空间分布情况。振幅衬度是一种重要的显微成像衬度机制,基于振幅衬度能够使显微像揭示材料的微结构特征。尽管显微像衬度的产生都来源于电子波的振幅,但是振幅衬度像还可以进一步化分为质厚衬度像和衍射衬度像。由于像衬度形成机理的差异,质厚衬度像和衍射衬度像中所显示的微结构细节有明显不同。本文介绍了如何在透射电镜观察中实现质厚衬度成像和衍射衬度成像,及其相互转换的实验方法和操作技术细节。利用透射电镜的不同成像衬度模式能够在样品的同一视场中观察到更多的材料结构细节,可以在多层次和不同尺度上获得更丰富的微结构信息。
- 文博云刘红荣王岩国
- 关键词：电子显微学
- 焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线I-V曲线的影响被引量：1
- 2019年
- 利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的I-V曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且I-V曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,I-V曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是I-V曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考.
- 陈晓陈晓王岩国谷林
- 关键词：GAN纳米线电击穿压电效应
- 成像模式对电子全息图空间分辨率的影响被引量：1
- 2013年
- 与普通电子显微像的分辨率不同,电子全息图的分辨率并不仅仅由电子干涉条纹间距本身决定,而是取决于样品相对全息图的放大倍数,即全息图的实际空间分辨率等于干涉条纹间距除以样品相对全息图的放大倍数。因此电子全息图的分辨率可以通过两种方式而改变,(1)改变电子显微镜的成像模式,不同成像模式间的转换可以改变样品相对于全息图的放大数倍。(2)改变电子全息附件在电子光路中的位置,样品相对于全息图的放大倍数与它们的相对位置有关。将电子全息附件安装在样品前面时,样品相对于全息图并没有被放大,反而是全息图在物镜的物面处被放大了,出现在全息图中的样品多,尽管电子全息图分辨率低,但全息图具有分析样品区域大的优点。电子全息附件放在样品之后,样品相对于全息图被放大了,出现在全息图中的样品少了,尽管提高了电子全息图的分辨率,但是减小了可分析样品区域。
- 王岩国
- 关键词：电子全息空间分辨率
