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山西省自然科学基金(2010011032-1)

作品数:9 被引量:1H指数:1
相关作者:张敏刚柴跃生陈峰华杨利斌张真真更多>>
相关机构:太原科技大学更多>>
发文基金:山西省自然科学基金年山西省研究生优秀创新项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇NI-MN-...
  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇形貌
  • 3篇形状记忆
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇薄膜形貌
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电池
  • 1篇形状记忆合金
  • 1篇形状记忆效应
  • 1篇锗硅
  • 1篇制备及性能
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性

机构

  • 7篇太原科技大学

作者

  • 7篇柴跃生
  • 7篇张敏刚
  • 5篇陈峰华
  • 2篇熊杰
  • 2篇杨利斌
  • 2篇张真真
  • 1篇张凯
  • 1篇王艳
  • 1篇王丙杰
  • 1篇张海杰

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇红外
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇山西冶金
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇Chines...
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇Intern...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
锗硅纳米晶材料光学性质的第一性原理研究
2010年
为了研究锗硅纳米镶嵌结构的光学性质与晶粒尺寸之间的关系,采用基于第一性原理局域密度泛函理论的平面波近似方法对SiO_2基质中的不同纳米晶粒模型进行了模拟计算,并分析了其能带结构、态密度和光学性质。结果表明,锗晶结构和硅晶结构分别在费米能级以上3.3eV及4.3eV附近引入中间能级;微小尺寸晶粒的光吸收边随晶粒尺寸的增大先红移后蓝移。本文关于锗硅纳米晶结构的可见光发射来自界面处缺陷的说法具有较高的可信度。镶嵌于SiO_2基质中的锗纳米晶和硅纳米晶存在适用量子限制模型的最小尺寸限。这些结论为改进材料的光学性能和深入研究纳米镶嵌材料的发光机理提供了一定的依据。
王丙杰柴跃生张敏刚
关键词:密度泛函理论纳米晶光发射
衬底负偏压对Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜成分及形貌的影响被引量:1
2011年
采用能谱仪(EDS)和原子力显微镜(AFM)对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni—Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发现:当衬底负偏压在5~30V范围变化时,薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势,在偏压为10V时,达到最小值52.84%(摩尔分数,下同).Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反,且在偏压为10V时达到最大值29.85%,而Mn含量变化不大,保持在17.00%左右;薄膜呈典型岛状(Volmer-Weber)模式生长,表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而减小。
杨利斌柴跃生张敏刚陈峰华张凯
关键词:NI-MN-GA
Martensitic transformation and giant magnetic entropy change in Ni_(42.8)Mn_(40.3)Co_(5.7)Sn_(11.2) alloy
2014年
The crystal structure, phase transition, and magnetocaloric effect in Ni42.8Mn40.3Co5.7Sn11.2alloy are investigated by structure analysis and magnetic measurements. A large magnetic entropy change of 45.6 J/kg·K is obtained at 215 K under a magnetic field of 30 kOe(1 Oe = 79.5775 A·m-1). The effective refrigerant capacity of Ni42.8Mn40.3Co5.7Sn11.2alloy reaches 72.1 J/kg under an applied field changing from 0 to 30 kOe. The external magnetic field shifts the martensitic transition temperature about 3–4 K/10 kOe towards low temperature, indicating that magnetic field can retard the phase transition to a certain extent. The origin of large magnetic entropy change is discussed in the paper.
陈峰华宫长伟郭艳萍张敏刚柴跃生
关键词:磁熵变奥斯特磁热效应磁性测量
Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜研究进展
2010年
Ni-Mn-Ga合金兼有铁磁性和形状记忆效应,有望成为继压电陶瓷和磁致伸缩材料之后的新一代驱动与传感材料。但是由于合金脆性较大,难以切割,限制了其在微机电系统中的应用。系统阐述了薄膜的化学成分、组织结构、相转变、形状记忆效应及其影响因素,指出目前Ni-Mn-Ga合金薄膜研究中,各个元素对性能影响的探索存在不足,制备出的薄膜主要存在磁性能、磁致应变量偏低以及磁致形状记忆效应不可逆等缺点。可以通过调整薄膜化学成分、热处理工艺、膜厚或者元素替换来提高薄膜的性能。
陈峰华张敏刚柴跃生张真真
关键词:铁磁性形状记忆效应相转变
Mo衬底厚度对Ni-Mn-Ga形状记忆合金薄膜形貌及磁性能的影响
2013年
采用射频磁控溅射法制备不同厚度Mo衬底的Ni-Mn-Ga薄膜,采用扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)、磁力显微镜(MFM)、振动样品磁强计(VSM)以及X射线衍射仪(XRD)对其形貌及磁性能进行观测和分析。实验发现,制备的Mo衬底Ni-Mn-Ga薄膜经退火后为T型马氏体结构,且当Mo衬底厚度在0-200nm范围内变化时,其饱和磁化强度及居里温度呈现先减小后增大的趋势。当Mo衬底厚度约为100nnl时饱和磁化强度和居里温度具有最低值。薄膜表面颗粒直径随着Mo厚度的增大而减小,但在Mo厚为100nm时出现增大。
熊杰张敏刚柴跃生陈峰华张海杰
关键词:表面形貌磁性能
射频磁控溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌的影响
2011年
采用射频磁控溅射镀膜技术在P型Si(100)基片上沉积Ni-Mn-Ga薄膜。实验结果表明,射频溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌有显著地影响。Ni含量随溅射功率的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势。薄膜的价电子浓度(e/a)变化较小。参考英国国家物理实验室数据中有关Ar气对不同元素溅射产额数据,对薄膜成分偏离进行理论分析。
陈峰华张敏刚柴跃生张真真
关键词:射频磁控溅射薄膜形貌
SiGe薄膜太阳能电池的发展和挑战
2011年
介绍了SiGe薄膜太阳能电池的制备方法,分析了各种制备方法的优缺点,对磁控溅射制备SiGe薄膜太阳能电池的研究作了评述。
王艳张敏刚柴跃生
关键词:太阳能电池磁控溅射
Effect of Sm-doping on the morphology and magnetic properties of radio frequency magnetron sputtered Ni-Mn-Ga films
2012年
Ni55.5Mn21Ga23.5 and Ni54Mn22Ga23Sm1 films were prepared by radio frequency (RF) magnetron sputtering. The effect of Sm do-pant on the morphologic and magnetic properties of Ni55.5Mn21Ga23.5 films was investigated. Sm doping can refine the particle size of the films from 100 to 60 nm, and further grain growth is not occurs even after annealing at 1073 K for 3.6 ks. Compared to Ni55.5Mn21Ga23.5 films, Sm-doped Ni54Mn22Ga23Sm1 films are easier to be magnetized and have a lower martensitic transformation temperature. In addition, the Curie temperature can also be adjusted, decreasing from 350 to 325 K after Sm doping. Martensitic transformation is not observed in the Sm-free films, which is close to the Curie temperature in the Sm-doped films, giving rise to the overlap of the structural and magnetic transi-tion temperatures.
Feng-hua Chen Min-gang Zhang Yue-sheng Chai Chang-wei Gong
关键词:射频磁控溅射磁学性质居里温度晶粒生长
Ni-Mn-Ga磁控溅射靶材合金制备及性能
2011年
根据Ni-Mn-Ga合金靶材在磁控溅射过程中各元素溅射产额和靶材成分的不同,对薄膜成分的影响进行了分析,从而制备了马氏体转变温度高于室温的Ni55Mn24.5Ga20.5靶材。针对目前没有标准的Ni-Mn-Ga马氏体PDF卡片,使用模拟结合已有文献的方法对制备的合金X射线衍射峰进行标定。由于差示扫描量热仪(DSC)不容易对薄膜进行相转变温度测定,提出了利用马氏体与母相磁性能的磁矩与温度(M-T)曲线来测定薄膜的相转变温度,并对合金进行了验证。居里温度约为450K的合金的制备,为进一步探索薄膜成分对磁性能的影响提供了实验依据。
陈峰华张敏刚柴跃生杨利斌熊杰
关键词:相变温度磁控溅射
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