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部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性被引量：2: 2015年; 针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于Si O2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程;基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态密度分别为8×1017eV-1·cm-3和2.76×1017eV-1·cm-3.基于电荷隧穿机理,在考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系的基础上,提取了前、背栅氧化层内缺陷态密度随空间的分布情况.此外,SOI器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度的增加而线性减小,这表明器件低频噪声主要来源于沟道的闪烁噪声.最后,基于电荷耦合效应,分析了背栅电压对前栅阈值电压、沟道电流以及沟道电流噪声功率谱密度的影响.; 王凯刘远陈海波邓婉玲恩云飞张平; 关键词：低频噪声缺陷态

双极型器件的总剂量辐射效应与损伤机理: 2013年; 随着空间技术的发展,双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。从钝化层辐射损伤机理出发,介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的产生机理与计算模型,结合基极电流模型探讨双极型器件与电路的总剂量辐射效应,并针对双极型器件的低剂量率辐射损伤机理与模型展开讨论。; 张婷刘远李斌恩云飞何玉娟杨元政; 关键词：双极型器件总剂量辐射效应低剂量率

集成电路单粒子瞬态效应与测试方法被引量：8: 2014年; 随着器件尺寸的等比例缩小,单粒子瞬态效应对集成电路的影响愈发明显,其产生机理及作用更加复杂。从集成电路单粒子瞬态脉冲的产生机理及模型出发,讨论分析了模拟和数字集成电路的单粒子瞬态效应,介绍了单粒子瞬态脉冲宽度的测试方法与测试结构。; 刘健波刘远恩云飞雷志锋王晓晗杨元政; 关键词：单粒子效应

双极型电压比较器的强电磁脉冲效应被引量：2: 2015年; 基于大电流注入法(BCI),利用瞬态脉冲产生器模拟强电磁脉冲在双极型电压比较器中产生的耦合电流,观测到输出信号在注入瞬态大电流后的波形变化,包括占空比变化及脉冲衍生等。从基本电路原理方面分析了实验现象的产生机理,以及注入电流幅值、电路偏置等因素对双极型电压比较器强电磁脉冲效应的影响。; 程晋利刘远刘健波魏爱香恩云飞毛从光; 关键词：比较器占空比

集成电路核电磁脉冲效应的仿真方法研究: 2013年; 首先介绍集成电路互联线在电磁辐射下输出响应的计算方法,包括时域有限差分法和传输线矩阵法;基于良好屏蔽近似,讨论电磁拓扑理论在集成电路核电磁脉冲效应仿真中的适用性;最后,结合互联线输出响应的计算方法,提出集成电路核电磁脉冲效应基于电磁拓扑的仿真方法。; 程晋利刘远恩云飞魏爱香方文啸杨元政; 关键词：时域有限差分

非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性与分析被引量：8: 2014年; 本文针对底栅结构非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性开展实验与理论研究.由实验结果可知:受铟锌氧化物与二氧化硅界面处缺陷态俘获与释放载流子效应的影响,器件沟道电流噪声功率谱密度随频率的变化遵循1/fγ(γ≈0.75)的变化规律;此外,器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度与沟道宽度的增加而减小,证明器件低频噪声来源于沟道的闪烁噪声,可忽略源漏结接触及寄生电阻对器件低频噪声的影响.最后,基于载流子数涨落及迁移率涨落模型,提取γ因子与平均Hooge因子,为评价材料及器件特性奠定基础.; 刘远吴为敬李斌恩云飞王磊刘玉荣; 关键词：薄膜晶体管低频噪声

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响: 2013年; 针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insula-tor)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.; 恩云飞刘远何玉娟; 关键词：绝缘体上硅电离辐射

非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型被引量：1: 2014年; 基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄漏电流模型.实验结果验证了所提关态电流物理模型的准确性,曲线拟合良好.; 恩云飞刘远何玉娟师谦郝跃; 关键词：非晶硅薄膜晶体管泄漏电流

电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响被引量：7: 2015年; 本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、表面电子有效迁移率从473.7 cm2/V·s降低至419.8 cm2/V·s、亚阈斜率从2.47 V/dec增加至3.93 V/dec;基于辐射前后亚阈斜率及阈值电压的变化,可提取得到辐射诱生界面态与氧化层固定电荷密度分别为5.33×1011cm-2与2.36×1012cm-2.受辐射在埋氧化层-硅界面处诱生边界陷阱、氧化层固定电荷与界面态的影响,辐射后埋氧化层-硅界面处电子被陷阱俘获/释放的行为加剧,造成SOI器件背栅平带电压噪声功率谱密度由7×10-10V2·Hz-1增加至1.8×10-9V2·Hz-1;基于载流子数随机涨落模型可提取得到辐射前后SOI器件埋氧化层界面附近缺陷态密度之和约为1.42×1017cm-3·eV-1和3.66×1017cm-3·eV-1.考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系,本文计算得到辐射前后埋氧化层内陷阱电荷密度随空间分布的变化.; 刘远陈海波何玉娟王信岳龙恩云飞刘默寒; 关键词：绝缘体上硅电离辐射低频噪声

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中国博士后科学基金(2012M521628)