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河北省自然科学基金(B2007000613)

作品数:2 被引量:2H指数:1
相关作者:赵雄燕更多>>
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相关领域:理学化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇等离子体聚合
  • 1篇低介电常数
  • 1篇电路
  • 1篇衍生物
  • 1篇偶氮
  • 1篇偶氮苯
  • 1篇氰基
  • 1篇喹啉
  • 1篇噻吩
  • 1篇离子
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇聚噻吩
  • 1篇集成电路
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光光谱
  • 1篇发光
  • 1篇发光光谱

机构

  • 1篇河北科技大学

作者

  • 1篇赵雄燕

传媒

  • 1篇物理化学学报
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Synthesis and characterization of photoactive polythiophenes bearing azobenzene groups in the side chain
2007年
ZHAO Xiong-yan
关键词:聚噻吩偶氮苯光致发光光谱
低介电常数聚喹啉衍生物薄膜的合成与表征(英文)被引量:2
2010年
采用等离子体聚合技术合成了一种新型的低介电常数聚喹啉衍生物薄膜:聚3-氰基喹啉(PP3QCN)薄膜.借助于傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、X光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜结构进行了系统表征.结果表明,等离子体聚合条件对沉积膜的化学结构、表面组成、膜形态以及介电性能均有影响.在较低的等离子体放电功率(10W)条件下,可得到具有较高芳环保留率和较大π-共轭体系的高质量聚3-氰基喹啉薄膜材料;而在较高功率(25W)条件下,聚合过程中会出现比较严重的单体分子破碎,形成较多非π-共轭体系的聚合物,从而导致聚3-氰基喹啉的共轭度降低.聚3-氰基喹啉薄膜的介电性能测试结果表明,低放电功率(10W)条件下制得的聚3-氰基喹啉薄膜具有比较低的介电常数值,仅为2.45.
赵雄燕
关键词:等离子体聚合低介电常数集成电路
共1页<1>
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