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2.1GHz射频CMOS混频器设计(英文)被引量：2: 2009年; 设计了一个用于第三代移动通信的2.1 GHz CMOS下变频混频器,采用TSMC 0.25μm CMOS工艺。在设计中,用LC振荡回路作电流源实现低电压;并用增大电流和降低跨导的方法提高线性度。在Cadence RF仿真器中对电路进行了模拟,在1.8 V电源电压下,仿真结果为:1 dB压缩点P1 dB-10.65 dBm,IIP3 1.25 dBm,转换增益7 dB,噪声系数10.8 dB,功耗14.4 mW,且输入输出端口实现了良好的阻抗匹配。并用Cadence中的Virtuoso Layout Editor软件绘制了电路的版图。; 李恩玲苑永霞褚蒙王雪; 关键词：射频集成电路 CMOS混频器阻抗匹配线性度

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陕西省教育厅科研计划项目(04JK265)