您的位置： 专家智库 > >

西安应用材料创新基金(XA-AM-200502)

作品数：1 被引量：12H指数：1
相关作者：丁瑞雪刘红霞柴常春宋久旭杨银堂更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：西安应用材料创新基金国家部委预研基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子结构
  • 1篇子结构
  • 1篇SIC
  • 1篇3C-SIC
  • 1篇掺氮

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇杨银堂
  • 1篇宋久旭
  • 1篇柴常春
  • 1篇刘红霞
  • 1篇丁瑞雪

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究被引量：12
2008年
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小.
宋久旭杨银堂柴常春刘红霞丁瑞雪
关键词：掺氮电子结构第一性原理计算
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0