国家自然科学基金(50243020)
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
- 相关作者：孙润光王秀如邵明李瑛王文根更多>>
- 相关机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学机械工程更多>>
- 用于TFT-LCD的大功率LED侧式背光系统被引量：10
- 2006年
- 用蓝光激发黄色荧光粉发出的1W大功率白光LED作为TFT-LCD背光光源,LED左右两侧各12个以13.2mm等间距排列;采用由反射率为95%的反射镜构成的光学腔代替传统复杂的导光系统进行导光,仅仅用反射镜将LED发出的光导入液晶面板底部,减少了背光结构的复杂程度;利用光学模拟软件Tracepro对设计的侧式背光系统的LED阵列位置及反射镜位置等参数进行模拟优化,设计了可应用于26.4cm(10.4in)TFT-LCD的大功率白光LED侧式背光源系统。经过优化的背光系统,其亮度均匀性和光利用率分别达到87%和74%,背光系统的几何尺寸为292mm×164mm×20mm。
- 王文根李瑛邵明王秀如刘敬伟李俊峰王刚孙润光
- 关键词：白光LED亮度均匀性
- 新型有机光电开关器件
- 2005年
- 结合有机发光和光电二极管器件,制作了一种新型的有机光电开关器件。器件结构为:ITO/NPB/Alq3/CuPc/C60/NPB/Alq3/LiF/Al。其中,ITO(indiumtinoxide,氧化铟锡)为正极,NPB[N,N-′di(naphthaleneyl)-N,N-′diphenylbenzidine]/Alq3[tris-(8-hydro-xyquinoline,8-羟基喹啉铝)aluminum]作为电致发光层,CuPc(CopperPhthalocyanine,酞菁铜)/C60为光电转换层,LiF/Al为器件负极,即两个电致发光层和一个光电转换层组成的三明治型结构。从低向高施加电压和从高向低施加电压时,该器件呈现出不同的电流密度-电压(J-V)和功率密度电压(P-V)曲线,即器件在相同的电压下可得到不同的电流密度值和功率密度值(亮度值),利用高亮度状态(ON)到低亮度状态(OFF)的转变,可实现开关型有机电致发光器件。器件的光电转换层吸收效率为0.153%。
- 陈昊瑜倪抒颖王秀如朱文清孙润光
- 关键词：光学材料光电转换电致发光
- 非晶硅薄膜晶体管有机电致发光单元像素的设计
- 2007年
- 介绍了两管薄膜晶体管(TFT)和四管TFT有源驱动有机发光二极管工作原理,结合TFT工作条件限制以及实现显示的要求完成了四管TFT有源驱动有机电致发光单元像素的设计,利用Hspice软件验证了单元像素的设计结果,最大输出电流为2.1μA,一帧的时间后变化到2.0μA,变化量小于一个灰阶电流,满足显示要求。
- 王文根李瑛邵明王秀如汤昊孙润光
- 关键词：薄膜晶体管有源驱动有机发光二极管仿真
- 被动驱动有机发光二极管矩阵屏老化性能的研究
- 2005年
- 对102×64点阵的单色被动驱动的有机电致发光(OLED)矩阵屏进行了老化研究。矩阵屏的结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3∶C545/LiF/Al。测量了老化前后矩阵屏的电流-电压-亮度曲线,以及电致发光(EL)和光致发光光谱(PL)。比较发现,老化后的器件在同样恒电流的情况下表现出更高的驱动电压,更小的漏电流,以及在阴极和有机层界面上电致发光和光致发光的光谱强度减弱。矩阵屏在老化17 h后,电致发光和光致发光的强度分别降低到初始值的75.6%和81.4%,分析认为,这是因为老化过程中部分发光材料分解,从而造成对矩阵屏的永久损伤。
- 邵明周波陈昊瑜王秀如孙润光
- 关键词：有机电致发光
- 采用光学干涉方法实现高对比度聚合物发光二极管
- 2005年
- 为了得到高对比度的聚合物发光二极管(PLED),设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管。消光干涉层的结构为:CrOx/Cr/ITO/Cr。在玻璃衬底和ITO阳极之间溅射的光学干涉层可以部分消去背景光的反射。这种方法不需要考虑光学干涉层和OLED或PLED材料之间功函数匹配,以及在溅射过程中对有机层的损伤等问题。制作的器件的对比度为14.7∶1,这比没有采用光学干涉结构的器件的对比度要高得多。结果说明新型的光学干涉结构确实起到了提高器件对比度的效果,对器件参数的进一步优化有望达到一个实用化目标。
- 邵明刘宏宇孙润光
- 关键词：聚合物发光二极管高对比度
- 纯化9,10-二萘蒽对OLED器件光电性能的影响(英文)被引量：2
- 2006年
- 合成了高稳定性蓝光主体材料9,10-二萘蒽(ADN),研究材料纯化对合成材料光电性能的影响。为进一步分析材料经升华提纯对有机电致发光器件性能的影响,以提纯前后ADN为发光层,以NPB为空穴传输层,分别制作双层器件Ⅰ(提纯前)和器件Ⅱ(提纯后),器件结构为ITO(100nm)/NPB(40nm)/ADN(30nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),结果表明提纯后材料PL(Photolum inescence)光谱蓝移了2nm,半峰全宽54.2nm,与提纯前一致;杂质影响载流子注入效率和迁移率,对器件光电性能有显著影响,纯化前后器件最大电流效率由1.5cd/A上升至2.5cd/A;器件Ⅱ色纯度有较大提高,CIE色坐标由器件Ⅰ(0.15,0.10)移至(0.15,0.06)。实验结果表明材料提纯是优化器件性能的有效手段之一。
- 李瑛王文根邵明王秀如汤昊孙润光
- 关键词：提纯色坐标光电性能
