国防科学技术预先研究基金(41308060602)
- 作品数：3 被引量：10H指数：3
- 相关作者：罗宏伟李若瑜李斌恩云飞杨银堂更多>>
- 相关机构：信息产业部电子第五研究所华南理工大学中华人民共和国工业和信息化部更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响被引量：4
- 2005年
- 本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用。
- 李若瑜李斌罗宏伟
- 关键词：ESDGGNMOSMEDICI
- nMOSFET X射线辐射影响研究被引量：3
- 2004年
- 介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流It2)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加。
- 罗宏伟杨银堂恩云飞朱樟明
- 关键词：ESD开启电压X射线辐射
- 基于MEDICI仿真的ESD保护器件设计方法被引量：3
- 2005年
- 文章讨论了用MEDICI作基于仿真的ESD保护电路设计方法,并以GGNMOS为例,给出了MEDICI仿真结果与实验数据的对照。结果表明此方法是一种有效仿真ESD保护电路在高温高电压大电流下特性的方法,可使ESD保护器件的设计周期缩短,成功率因此大大增加。
- 李若瑜李斌罗宏伟
- 关键词：ESDGGNMOSMEDICI
