天津市重点科技攻关项目(06YFGZGX02100)
- 作品数：2 被引量：15H指数：2
- 相关作者：耿新华赵颖薛俊明孙建黄宇更多>>
- 相关机构：光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学河北省信息产业厅更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金天津市重点科技攻关项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- ZnO:Al绒面透明导电薄膜的制备及分析被引量：10
- 2007年
- 利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄膜的结构特性以及衬底温度、溅射功率和腐蚀时间对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在的应用前景。
- 薛俊明黄宇熊强马铁华孙建赵颖耿新华
- 用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响被引量：5
- 2007年
- 用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。
- 薛俊明侯国付王雅欣段苓伟刘丽杰赵颖耿新华
- 关键词：磁控溅射
