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北京市教育委员会科技发展计划面上项目(KM200910005023)

作品数：2 被引量：0H指数：0
相关作者：王兰赵小青董国波张铭赵学平更多>>
相关机构：石家庄铁道大学北方工业大学北京工业大学更多>>
发文基金：北京市教育委员会科技发展计划面上项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电导
  • 1篇有机半导体
  • 1篇输运
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋极化
  • 1篇自旋输运
  • 1篇自旋注入
  • 1篇激活能
  • 1篇光电
  • 1篇半导体
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度

机构

  • 1篇北方工业大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇石家庄铁道大...

作者

  • 1篇米仪琳
  • 1篇严辉
  • 1篇李杨超
  • 1篇赵学平
  • 1篇张铭
  • 1篇董国波
  • 1篇赵小青
  • 1篇王兰

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇纳米科技

年份

  • 2篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
衬底温度对CuCrO2薄膜光电性能影响
2010年
采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜，通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能，结果表明，衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时，薄膜为结晶态。薄膜的可见光透过率随衬底温度提高有所增加。750℃时，CuCrO2薄膜直接带隙降低到3．02eV。电导率随衬底温度提高先增加后降低，500℃时，薄膜的电导率最高，达到27．1S·cm^-1，电导率对数随温度倒数变化关系表明，CuCrO2薄膜在300K-220K温度区间内均符合半导体热激活导电规律。
李杨超张铭赵学平董国波严辉
关键词：激活能
有机半导体的自旋注入和自旋输运
2010年
利用自旋漂移-扩散方程自洽地得到了铁磁/有机半导体自旋注入结构中极化子电导的自旋相关性对自旋注入效率的影响。计算结果表明,自旋注入效率明显依赖于极化子电导的自旋相关性。在自旋注入效率增加30%的情况下,极化子电导的自旋相关性T=5K时将增大4个数量级左右,表明,在电场作用下的有机半导体自旋注入体系中,考虑极化子电导的自旋相关性对自旋注入的影响有着非常重要的意义。另外自旋注入效率还是位置的函数,但当电场大于100mV/μm后,极化子的自旋相关性几乎不再随极化子所在位置发生变化,自旋注入效率此时也几乎与位置无关。
米仪琳赵小青王兰
关键词：自旋注入自旋输运自旋极化
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