国家科技重大专项(2010ZX03007-002)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 相关作者：张海英戴志伟曾健平杨浩郝明丽更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所湖南大学更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种具有0.75dB噪声系数的2.3～2.4GHz单片集成低噪声放大器
- 2013年
- 报道了一种基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管工艺的两级级联结构的微波单片集成低噪声放大器。该低噪声放大器为光纤射频组网技术而研发，采用集总参数元件完成片上输入输出阻抗匹配，节省了芯片面积和成本。在50Ω端口测试条件下，该低噪声放大器在2．3～2．4GHz的频段内，噪声系数约为0．75dB，增益大于25dB，在3．3V的工作电压下消耗32mA的电流。与同频段同类型的低噪声放大器相比，文中报道的LNA具有突出的低噪声性能，这主要归因于依据晶体管的噪声最优阻抗匹配理论选取了合适的输入级放大管尺寸和一个具有极小寄生电阻的输入匹配网络以及pHEMT管本身优异的低噪声特性。
- 戴志伟曾健平杨浩张海英郑新年
- 关键词：低噪声放大器赝配高电子迁移率晶体管
- 一种具有0.5dB噪声系数的450～470MHz单片集成LNA被引量：1
- 2014年
- 基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低了使用成本,测试结果表明，该单片集成LNA具有40dB左右的增益和约0．5dB的噪声系数，其低噪声性能十分优秀，这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性．
- 曾健平戴志伟杨浩张海英郑新年
- 关键词：单片集成低频段PHEMT
- 带有串联谐振支路的3.4～3.6GHz功率放大器
- 2013年
- 基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺技术,提出了一种3.4～3.6GHz功率放大器芯片电路的设计.功率放大器采用三级级联放大电路结构,其输出匹配网络设计在片外并通过PCB板实现.为了降低二次和三次谐波,在片外输出匹配网络中设计了一种串联谐振支路,并通过一根金丝引线与功放芯片相连.通过上述方法,谐波被有效抑制,在Vcc=4.3V和Vbias=3.3V供电下,测得3.4GHz下的1dB压缩点输出功率为28.5dBm,相应的功率附加效率为28.3%,其二次和三次谐波抑制比分别达到-50dBc和-43dBc.另外,该功放在整个工作频带上的线性增益超过28.3dB,增益平坦度达到±0.21dB.
- 郝明丽王统陈春青张海英
- 关键词：功率放大器INGAPGAAS串联谐振
