国家部委资助项目(9140A08060407DZ0103)
- 作品数：4 被引量：16H指数：3
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- 第一性原理研究应变Si/(001)Si1-XGeX能带结构被引量：6
- 2009年
- 应变SiCMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(001)Si1-XGeX(X=0.1～0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:应变消除了价带带边和导带带边的简并度;应变几乎没有改变电子有效质量,而沿[100]方向空穴有效质量随着Ge组份的增加而显著变小;导带劈裂能、价带劈裂能、禁带宽度与Ge组份X的拟合结果都是线性函数关系。以上结论为Si基应变MOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据。
- 牛玉峰庄奕琪胡辉勇宋建军
- 关键词：应变硅第一性原理
- 应变Si_(1-x)Ge_x/SiΔ~i能谷附近色散关系的KP理论推导(英文)被引量：5
- 2008年
- 基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的Δi能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGex中的Δi能级大小不同于弛豫Si1-xGex的Δ1能级,而二者的横向、纵向有效质量(m1*,mt*)相同.Δi和Δ1能级之差由形变势理论确定.最后,描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征.
- 宋建军张鹤鸣舒斌胡辉勇戴显英
- 关键词：KP法导带
- (101)面生长双轴应变Si带边模型(英文)被引量：1
- 2008年
- 采用结合形变势理论的k.p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明:[001],[00],[100]及[00]方向能谷构成了该应变Si的导带带边,其能量值随Ge组分的增加而增加;导带劈裂能与Ge组分成正比例线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小.该模型可获得量化的数据,为器件研究设计提供有价值的参考.
- 宋建军张鹤鸣戴显英胡辉勇宣荣喜
- 关键词：应变SI
- 应变Si／(001)Si1-xGex能带结构模型被引量：5
- 2009年
- 应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随Ge组分的增加而变小;导带劈裂能与Ge组分成线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据,对器件研究设计可提供有价值的参考。
- 宋建军张鹤鸣戴显英胡辉勇宣荣喜
- 关键词：应变硅
