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陕西省教育厅科研计划项目(07JK274)

作品数:5 被引量:21H指数:4
相关作者:严文陈建范新会彭渝莉陈绍楷更多>>
相关机构:西安工业大学西北工业大学西北有色金属研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:金属学及工艺冶金工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇冶金工程

主题

  • 3篇单晶铜
  • 2篇单晶铜线材
  • 2篇织构
  • 2篇冷拔
  • 1篇单晶
  • 1篇电子背散射衍...
  • 1篇定向凝固
  • 1篇形变
  • 1篇形变织构
  • 1篇亚结构
  • 1篇铜单晶
  • 1篇凝固
  • 1篇微观组织演变
  • 1篇位错
  • 1篇位错胞
  • 1篇纤维织构
  • 1篇孪晶
  • 1篇面心立方
  • 1篇面心立方金属
  • 1篇金属

机构

  • 5篇西安工业大学
  • 3篇西北工业大学
  • 1篇西北有色金属...
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 5篇陈建
  • 5篇严文
  • 3篇范新会
  • 2篇彭渝莉
  • 1篇李炳
  • 1篇王雪艳
  • 1篇杜新智
  • 1篇牛艳娥
  • 1篇彭渝丽
  • 1篇陈绍楷
  • 1篇马晓光
  • 1篇李鹏涛
  • 1篇苗健
  • 1篇李巍

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇西安工业大学...
  • 1篇中国科学:技...

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
OCC技术制备的单晶铜线材冷拔组织TEM分析被引量:7
2011年
采用TEM系统分析了OCC技术制备的单晶铜线材在冷拔过程中形成的位错胞、几何必须界面以及孪晶,发现当真应变小于0.94时,冷拔单晶铜线材的微观组织为位错胞。当真应变大于0.94时,其微观组织主要包括位错胞和几何必须界面两类组织。其中位错胞沿冷拔方向拉长,横界面上为等轴状。随变形量的增加,位错胞尺寸减小,当真应变大于1.39时,位错胞尺寸不再随塑性变形量的增加而减小,其直径保持在0.28μm左右。当变形量比较小时,两类几何必须位错界面属于晶体学界面,当变形量比较大时,几何必须位错界面与冷拔方向平行。同时,分析还发现冷拔单晶铜线材中存在少量由凝固过程形成并遗传到形变组织以及在冷拔过程直接形成的两类孪晶。
陈建严文苗健彭渝莉范新会
关键词:单晶铜线材位错胞孪晶
单晶铜线材在冷拔过程中形成的亚结构被引量:8
2007年
采用光学金相和电子背散射衍射对单晶铜线材拉拔变形过程中的组织演化进行了分析。结果表明,变形单晶铜线材组织的演化分为3个阶段;当真应变为1.96时,变形单晶铜线材由〈100〉转变为〈100〉、〈111〉以及比较弱的〈112〉丝织构,织构组分转变是由剪切变形所致;当真应变为0.94时,界面错配角小于14°,属于小角度界面,当真应变为1.96时,界面错配角超过50°,在25°~30°大角度范围出现了由织构演化形成的第2个峰。
陈建严文陈绍楷王雪艳彭渝莉范新会
关键词:单晶铜线材
面心立方金属冷拔织构的计算机模拟被引量:1
2008年
为了预测面心立方金属线材在冷拔过程中形变织构的演变规律,采用Taylor模型对面心立方金属冷拔织构进行模拟.采用线性规划求解剪切速率,通过计算每五个滑移系组合对应的晶粒转动的平均值作为最终的晶粒转动来解决滑移系选择模糊性问题.模拟结果表明,面心立方金属线材在拉拔过程中产生〈111〉和〈001〉纤维织构组分,〈111〉为稳定的织构组分.在变形量较小的情况下,〈001〉、〈111〉纤维织构组分比较漫散.随着变形量的增加,〈001〉、〈111〉纤维织构组分的漫散程度变小.模拟与拉拔铜线材形变织构实测结果的对比表明,采用Taylor模型能够很好模拟冷拔面心立方金属材料形变织构的演变规律.
陈建李巍彭渝丽严文牛艳娥
关键词:纤维织构
冷拔<110>单晶铜的形变织构和微观组织演变被引量:4
2011年
采用电子背散射衍射(EBSD)和透射电子显微镜(TEM)对冷拔<110>单晶铜的织构和微观组织进行了分析.为了考察初始取向对冷拔铜线材形变组织和织构的影响,<110>试验结果并与冷拔<100>和<111>单晶铜的结果进行了对比.发现与<100>和<110>单晶铜相比,<110>单晶铜晶粒分裂更加明显,在冷拔过程中迅速形成<100>+<111>织构.但高应变下,由于剪切应力的影响,<100>和<111>织构组分沿线材径向的分布并不均匀,<100>织构绝大部分分布在试样表面,<111>则主要分布于试样中心.冷拔<110>单晶铜的微观组织研究结果表明,在低应变情况下,可表征为两类非晶体学几何必须位错界面,随变形量的增加,大量S带开始出现,高应变时,绝大部分位错界面已与冷拔方向平行,形成薄片状组织.与<100>和<111>单晶铜相比,冷拔<110>单晶铜的几何必须位错界面的平均失配角和平均间距更大.由于<110>单晶铜中同一织构组分内仍能形成高角度界面,在位错界面失配角分布图中很快形成双峰分布.
陈建严文李炳马晓光杜新智范新会
关键词:单晶铜冷拔形变织构
不同初始取向铜单晶制备技术的研究被引量:5
2010年
为了获得制备确定初始取向铜单晶的最优工艺参数,采用不同的抽拉速度、坩埚材料以及单晶体生长通道参数值制备出铜单晶体试棒.并应用TEM,XRD衍射分析对其进行取向标定.结果表明:采用高纯石墨坩埚,单晶体生长通道直径为2 mm,在(1 450±5)℃下保温2 h,运动距离在30 mm以下时抽拉速度为2μm/s,运动距离超过30 mm时抽拉速度为8μm/s,所制备出的铜单晶体表面光洁均匀,且试棒的初始取向的偏差与设计值在3°以内.
严文李鹏涛陈建
关键词:铜单晶定向凝固
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