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国家高技术研究发展计划(2001AA311130)

作品数:11 被引量:43H指数:4
相关作者:刘大力杜国同张源涛刘博阳赵佰军更多>>
相关机构:吉林大学大连理工大学中国科学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金吉林大学青年教师基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 4篇电子电信

主题

  • 6篇ZNO薄膜
  • 5篇金属有机化学...
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 5篇MOCVD
  • 4篇氧化锌薄膜
  • 4篇MOCVD法
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 3篇ZNO
  • 3篇MOCVD法...
  • 2篇氧化锌
  • 2篇射线衍射
  • 2篇退火
  • 2篇X射线衍射
  • 2篇AFM
  • 1篇氮掺杂
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇扫描探针显微...

机构

  • 10篇吉林大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 9篇刘大力
  • 9篇杜国同
  • 7篇张源涛
  • 5篇刘博阳
  • 5篇赵佰军
  • 4篇杨天鹏
  • 4篇马艳
  • 4篇杨树人
  • 3篇杨洪军
  • 3篇王金忠
  • 3篇杨晓天
  • 3篇闫小龙
  • 3篇杨小天
  • 3篇高忠民
  • 2篇李万成
  • 2篇石增良
  • 2篇王新强
  • 2篇董鑫
  • 1篇张景林
  • 1篇崔勇国

传媒

  • 6篇发光学报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇Chemic...

年份

  • 1篇2008
  • 4篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2003
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
退火对MOCVD法生长ZnO薄膜性能的影响被引量:2
2004年
采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1h。生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。光电子能谱(XPS)分析显示,退火后ZnO薄膜从富Zn生长变为富O生长。在样品的室温PL谱中,观察到未退火样品的紫外发射峰的中心为3.28eV,并观察到退火样品位于3.30eV的自由激子发射峰和位于3.23eV的施主-受主对的复合发光峰。实验结果表明,退火后ZnO薄膜的晶体质量得到提高。
张源涛杨小天赵佰军刘博阳杨天鹏李万成刘大力杨树人杜国同
关键词:ZNO薄膜SI衬底MOCVD退火
MOCVD法生长SAWF用ZnO/Diamond/Si多层结构被引量:9
2004年
使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石 硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料 ,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化。XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长 ,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失 ,同时紫外发射峰增强。对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度。比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线 ,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大。当ZnO薄膜较薄时 ,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近 ,与其他衬底上生长的薄膜相比 ,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜结构 ,声表面波滤波器的中心频率将提高
赵佰军杨洪军王新强王新强刘大力杨晓天张源涛刘大力杨天鹏马艳
关键词:金属有机化学气相沉积X射线衍射扫描探针显微镜
低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响被引量:4
2008年
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。
石增良刘大力闫小龙高忠民徐经纬白石英
关键词:氧化锌薄膜MOCVDXRDSEM
声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长被引量:7
2003年
ZnO films with <110> orientation were grown on R-Al 2O 3 substrates by LP-MOCVD, and the growth temperature was optimized. The quality of crystal, surface morphology and optical characteristic of the samples were investigated by XRD, AFM and PL method. The experimental results show that the FWHM of the optimized sample is only 0.50°. Compared with that of the sample grown on C-Al 2O 3 material under the same conditions, the surface morphology of the first sample is denser and smooth, while the PL spectra indicate that the exciton emitting intensity of <110> oriented ZnO film in the ultraviolet range is lower. However, the deep-level emission related to the intrinsic defects disappears in the spectrum. All above indicate that the <110> oriented ZnO film is more suitable for fabrication of the film SAWF with a low loss and a high frequency than for fabrication of the emitting device in ultraviolet range.
赵佰军杜国同王金忠杨洪军张源涛杨小天马艳刘博阳杨天鹏刘大力
关键词:声表面波器件MOCVDAFMPL
表面预处理对氧化锌薄膜质量的影响被引量:2
2005年
用MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。生长前衬底表面进行预处理,观察不同表面预处理对ZnO薄膜质量的影响。测量氧化锌的XRD谱,观察表面预处理后对氧化锌薄膜结晶质量的影响。室温下用325 nm的He-Cd激光器作为激发源测量ZnO薄膜的紫外发光谱,观察表面处理后对ZnO薄膜发光特性的影响。用HL5500 Hall System分别对ZnO薄膜的电学特性进行了测试。得到了ZnO薄膜的电阻率和霍尔迁移率,并得到氧气气氛处理后电阻率变小,霍尔迁移率变大;氮气气氛射频处理后电阻率变大,霍尔迁移率变小的结果。
闫小龙刘大力石增良董鑫高忠民杜国同
关键词:ZNO薄膜金属有机化学气相沉积
ZnO薄膜的掺杂特性被引量:13
2004年
通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在生长过程中通过NH_3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4 sccm,O_2流量为120 sccm,N_2流量为600 sccm,得到在NH_3流量为80 sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH_3流量高于或低于80 sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80 sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密。所以80 sccmNH_3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量。Hall测量结果表明,NH_3流量为50 sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×10^(16)cm^(-3),迁移率为3.6cm^2·V^(-1)·s^(-1);当NH_3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达10~8Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析。
刘大力杜国同王金忠张源涛张景林马艳杨晓天赵佰军杨洪军刘博阳杨树人
关键词:氧化锌薄膜半导体材料氮掺杂生长温度
退火对ZnO薄膜质量的影响被引量:2
2005年
用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(0001)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜,通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的影响。通过X射线衍射测量得知,经过氮气和氧气退火都可以使其002峰增强,且在氧退火中表现得尤为明显。光致发光测量发现氮气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰明显增强,而深能级发光峰明显减弱;而氧气中退火的ZnO薄膜的紫外发光峰略有减弱,而深能级峰显著增强。
董鑫刘大力闫小龙张源涛杜国同高忠民
关键词:蓝宝石氧化锌薄膜金属有机化学气相沉积X射线衍射退火
MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
2005年
采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.~630℃温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等于0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分相,此时薄膜的能带宽度可以在3.3~3.95eV之间调节.
张源涛朱慧超崔勇国张宝林杨树人杜国同
关键词:金属有机化学气相沉积
O_2气流量对MOCVD法生长ZnO薄膜性质的影响
2004年
采用低压MOCVD方法,在(0001)Al_2O_3衬底上沉积了ZnO薄膜。研究了Ⅵ族源O_2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响。增加O_2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜。同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小。PL谱分析表明:随O_2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高。这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量。
马艳杜国同杨树人李正庭李万成杨天鹏张源涛赵佰军杨小天刘大力
关键词:ZNO薄膜MOCVDPL谱
Effects of ZnO Buffer Layer Thickness on Properties of Mg_xZn_(1-x)O Thin Films Deposited by MOCVD被引量:1
2005年
High-quality MgxZn1-xO thin films were grown on sapphire(0001 ) substrates with a ZnO buffer layer of different thicknesses by means of metal-organic chemical vapor deposition. Diethyl zinc, bis-cyclopentadienyl-Mg and oxygen were used as the precursor materials. The crystalline quality, surface morphologies and optical properties of the Mg, Zn1-xO films were investigated by X-ray diffraction, atomic force microscopy and photoluminescence spectrometry. It was shown that the quality of the MgxZn1-xO thin films depends on the thickness of the ZnO buffer layer and an Mg, Zn1-xO thin film with a ZnO buffer layer whose thickness was 20 nm exhibited the best crystal-quality, optical properties and a flat and dense surface.
DONG XinLIU Da-liDU Guo-tongZHANG Yuan-taoZHU Hui-chaoYAN Xiao-longGAO Zhong-min
关键词:MGXZN1-XOMOCVDAFM
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