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双氢青蒿素在单壁碳纳米管修饰电极的伏安行为与测定被引量：1: 2010年; 目的:研究双氢青蒿素在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及测定。方法:制备单壁碳纳米管(SWCNT)修饰玻碳电极,并用扫描电子显微(SEM)法、伏安法、电化学交流阻抗法对所制备的修饰电极进行表征。以此为工作电极,用线性扫描伏安法测定双氢青蒿素。结果:在pH=7.0,0.1mol·L-1的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,5.0×10-4mol·L-1双氢青蒿素在单壁碳纳米管修饰玻碳电极上还原峰电位为-0.85V,比同浓度双氢青蒿素在裸玻碳电极上的峰电位正移了270mV,峰电流显著增大。在优化实验条件下,还原峰电流与双氢青蒿素浓度在5.0×10-7～5.0×10-4mol·L-1的范围内呈线性关系,检出限为3.0×10-7mol·L-1。对5.0×10-4mol·L-1的双氢青蒿素平行测定10次的RSD为1.7%。结论:该方法简单、快速、灵敏,可用于含双氢青蒿素样品的含量测定。; 王辉杨培慧梁绍成蔡继业; 关键词：单壁碳纳米管双氢青蒿素伏安法玻碳电极

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海外及港澳学者合作研究基金(21308014)