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国家自然科学基金(10174070)

作品数:14 被引量:32H指数:4
相关作者:吴柏枚李波杨东升郑卫华高惠平更多>>
相关机构:中国科学技术大学北京有色金属研究总院国立公州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学

主题

  • 3篇能隙
  • 3篇硼化镁
  • 3篇二硼化镁
  • 3篇MGB_2
  • 2篇导体
  • 2篇MGB2
  • 2篇超导
  • 2篇超导体
  • 1篇导电
  • 1篇低场
  • 1篇电输运
  • 1篇电输运性质
  • 1篇新型超导体
  • 1篇声子
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇铁磁
  • 1篇热导率
  • 1篇混合态
  • 1篇交流磁化率

机构

  • 5篇中国科学技术...
  • 1篇国立公州大学

作者

  • 5篇吴柏枚
  • 4篇李波
  • 3篇李世燕
  • 3篇曹烈兆
  • 3篇陈仙辉
  • 3篇郑卫华
  • 3篇杨东升
  • 1篇余勇
  • 1篇阮可青
  • 1篇杜英磊
  • 1篇樊荣
  • 1篇李宜德
  • 1篇高惠平

传媒

  • 5篇物理学报

年份

  • 1篇2004
  • 4篇2003
14 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
双能隙超导体MgB_2的热导被引量:3
2003年
测量了多晶MgB2 的热导 ,实验温区为 5— 30 0K .在双能隙模型下 ,用基于BCS超导理论的BRT热导理论对实验结果进行了分析 ,给出MgB2 中两个能隙大小分别为 1 6和 5 1meV .对电子热导的分析结果表明σ能带准粒子受到的杂质散射远小于π能带准粒子受到的杂质散射 .与单晶MgB2 的热导实验结果相比 ,多晶MgB2 的声子热导结果表明在c方向上热传导声子受到来自σ能带准粒子的散射 ,显示了MgB2 在能量输运上的各向异性 .
杨东升吴柏枚李波郑卫华李世燕樊荣陈仙辉曹烈兆
关键词:超导体MGB2二硼化镁超导电性
Nd_(1.67)Sr_(0.33)NiO_4中的热导反常被引量:2
2004年
报道了两个典型掺杂的镍氧化物Nd2 -xSrxNiO4 (x=0 33,1 35 )的低温热导率、电阻率和低场交流磁化率 ,测试温区为 77— 30 0K .在Nd2 -xSrxNiO4 (x=0 33)样品的热导率_温度曲线上在电荷有序转变温度 (TCO)和自旋有序转变温度 (TSO)附近分别观测到反常 ,电荷有序使热导率在TCO 以下有所增加 ,反铁磁自旋有序使热导率在TSO 附近被压制 .在低场交流磁化率_温度曲线上也分别观测到对电荷有序和自旋有序的响应 ,而在其电阻率_温度曲线上仅观测到电荷有序 .作为比较 ,Nd0 6 5Sr1 35NiO4 样品中没有观测到输运性质和磁性质上的反常 .两个样品中声子热导占主导地位 .Nd1 6 7Sr0 33NiO4
高惠平李波余勇阮可青吴柏枚
关键词:反铁磁交流磁化率磁性质声子低场
新型超导体MgB_2和MgCNi_3热、电输运性质研究被引量:2
2003年
报道了两种新型超导体MgB2 ,MgCNi3和氧化物高温超导体Bi2 Sr2 Ca0 9Ce0 1 Cu2 O8+y的热导率 温度关系和电阻率 温度关系 .实验发现氧化物高温超导体在进入超导态后热导有所上升 ,出现极大值后再下降 ,而MgB2 和MgCNi3则单调下降 .由Wiedemann Franz定律分别计算了它们在正常态的电子热导和声子热导 .由于共有化电子的非局域性 ,在MgB2 和MgCNi3中电子热导的贡献占据相当大的成分 .对电子热导的分析结果表明 ,在MgB2 和MgCNi3的电子热导中静态缺陷对电子的散射占主导地位 .
吴柏枚李波杨东升郑卫华李世燕曹烈兆陈仙辉
关键词:超导体二硼化镁电输运性质
MgB_2混合态热导率的反常增强被引量:2
2003年
测量了MgB2 多晶样品的混合态热导率 ,磁场强度为 0— 7T ,温度范围为 5— 4 5K .实验结果显示MgB2 热导率在低场下迅速上升 ,高场下趋于饱和 ,这与MgB2 的二能隙电子结构有关 .对实验结果的分析指出 ,低温强场下MgB2 多晶样品热导率的显著增强无法完全用电子热导来解释 ,并对此进行了讨论 .
杨东升吴柏枚李波郑卫华李世燕陈仙辉曹烈兆
关键词:MGB2二硼化镁混合态热导率
光声谱研究多孔碳化硅的能带特性被引量:5
2003年
报道了用UV光照射和不用UV光照射条件下形成的p型α PSC以及原始SiC的光声光谱 (PAS) .从光声Rosenwaig Gersho理论出发 ,计算出多孔SiC的吸收系数与能量的关系 ,得到多孔SiC的能隙低于原始SiC的能隙 ,并深入分析了能隙的变化原因 ,同时 。
李宜德杜英磊李纪焕吴柏枚
关键词:光声光谱半导体材料能隙SIC
共1页<1>
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