您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(61274052)

作品数:3 被引量:7H指数:2
相关作者:姚真瑜吕雪芹张保平张江勇王宇更多>>
相关机构:厦门大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金福建省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇INGAN/...
  • 1篇导体
  • 1篇电池
  • 1篇多量子阱
  • 1篇窄线宽
  • 1篇数据存储
  • 1篇太阳电池
  • 1篇气体探测
  • 1篇全息数据存储
  • 1篇外腔
  • 1篇外腔半导体激...
  • 1篇线宽
  • 1篇量子
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇极化效应
  • 1篇光栅
  • 1篇光栅外腔
  • 1篇光栅外腔半导...
  • 1篇半导体

机构

  • 2篇厦门大学

作者

  • 1篇应磊莹
  • 1篇余健
  • 1篇王宇
  • 1篇张江勇
  • 1篇吕雪芹
  • 1篇张保平
  • 1篇姚真瑜

传媒

  • 1篇半导体光电
  • 1篇Chines...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展被引量:3
2013年
介绍了光栅外腔半导体激光器应用外部光栅实现选模和线宽压窄的基本原理,以及Littrow和Littman两种典型外腔结构和主要组成光学元件,讨论了主要性能表征参数包括调谐范围、激射线宽和边模抑制比等,分析了其关于稳定性的主要技术难点。在此基础上,详细综述了GaN基光栅外腔半导体激光器的国内外研究进展,主要集中在线宽、无跳模调谐范围和功率三个性能指标的优化上,特别提及了厦门大学研究小组的工作进展。最后讨论了其在高精度光谱测试、气体探测和大容量全息数据存储中的应用,并且列举了铟原子的光谱测试和NO气体探测。
姚真瑜吕雪芹张保平
关键词:光栅外腔半导体激光器窄线宽气体探测全息数据存储
InGaN/GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究被引量:2
2014年
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱外延结构,高分辨率X射线衍射测量结果显示,量子阱结构界面清晰,周期重复性很好,InGaN阱层的In组分约为0.2。利用该外延结构制备的InGaN/GaN多量子阱太阳电池的开路电压为2.16V,转换效率达到了0.64%。器件的I-V测量结果显示,在光照条件下,曲线的正向区域存在一明显的"拐点"。随着聚光度的减小,I-V曲线的"拐点"逐渐向高电压区域移动,同时器件的开路电压也随之急剧下降。通过与理论计算对比,发现器件开路电压的下降幅度明显大于理论计算值。进一步分析表明,InGaN量子阱的极化效应不仅是I-V曲线产生拐点以及器件开路电压下降过快的主要原因,也是影响氮化物太阳电池性能的关键因素之一。
王宇张江勇余健应磊莹张保平
关键词:INGAN/GAN多量子阱极化效应太阳电池
Influence of barrier thickness on the structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells被引量:2
2014年
The structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) with different barrier thick-nesses are studied by means of high resolution X-ray diffraction (HRXRD), a cross-sectional transmission electron mi-croscope (TEM), and temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements. HRXRD and cross-sectional TEM measurements show that the interfaces between wells and barriers are abrupt and the entire MQW region has good periodic- ity for all three samples. As the barrier thickness is increased, the temperature of the turning point from blueshift to redshift of the S-shaped temperature-dependent PL peak energy increases monotonously, which indicates that the localization po- tentials due to In-rich clusters is deeper. From the Arrhenius plot of the normalized integrated PL intensity, it is found that there are two kinds of nonradiative recombination processes accounting for the thermal quenching of photoluminescence, and the corresponding activation energy (or the localization potential) increases with the increase of the barrier thickness. The dependence on barrier thickness is attributed to the redistribution of In-rich clusters during the growth of barrier layers, i.e., clusters with lower In contents aggregate into clusters with higher In contents.
梁明明翁国恩张江勇蔡晓梅吕雪芹应磊莹张保平
共1页<1>
聚类工具0