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国家自然科学基金(60777025)

作品数:9 被引量:25H指数:3
相关作者:杨盛谊娄志东蒋玉蓉杜文树齐洁茹更多>>
相关机构:北京理工大学北京交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市科技新星计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇发光
  • 3篇晶体管
  • 3篇二极管
  • 2篇电致发光
  • 2篇探测器
  • 2篇响应度
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇发光二极管
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  • 1篇低电压
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  • 1篇电压
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结太阳电...
  • 1篇有机电致发光
  • 1篇有机电致发光...
  • 1篇有机发光

机构

  • 5篇北京理工大学
  • 3篇北京交通大学

作者

  • 8篇杨盛谊
  • 3篇娄志东
  • 2篇张丽
  • 2篇齐洁茹
  • 2篇杜文树
  • 2篇蒋玉蓉
  • 2篇邹炳锁
  • 2篇杨丹
  • 1篇喻志农
  • 1篇邓召儒
  • 1篇孟令川
  • 1篇薛唯
  • 1篇倪婷
  • 1篇邹凡
  • 1篇王好伟
  • 1篇王依山
  • 1篇陈立强
  • 1篇刘鹏

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇物理化学学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
9 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
α-IGZO薄膜场效应晶体管的光敏特性被引量:1
2013年
通过掩膜板制备源漏电极的方法,以非晶铟-镓-锌氧化物(α-IGZO)为有源层,制备了结构为ITO/SiO2(400nm)/α-IGZO(50nm)/Al的底栅顶接触型(BGTC)光敏薄膜场效应晶体管(TFT)并研究了其光敏特性。实验发现,在蒸镀Al电极作为源极和漏极,再在空气中及350℃的温度下退火1h后,器件的阈值电压Vth为15.0V,在栅源偏压VGS=30V时其有效场效应迁移率为0.57cm2/Vs,表现出良好的晶体管特性。当用强度为8.1mW/cm2的白光照射时,器件表现出明显的光敏特性,其Vth下降为-15.0V,在源漏电压VDS=20V且VGS=30V时其有效场效应迁移率上升为1.34cm2/Vs,在VGS=2.5V时其'明/暗'电流比达到一极大值,响应率达到1.11A/W,并具有良好的时间响应特性。
陈立强杨盛谊喻志农薛唯邹炳锁
基于量子点的白光二极管的研究进展被引量:4
2013年
量子点又称为纳米晶,是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒(粒径1~10nm),由于电子和空穴的量子限域效应,连续的能带结构变成分立的能级结构,受激后可以发射荧光。量子点的发光光谱可以通过量子点的粒径大小来调节。文章基于量子点的电致发光和光致发光的机理,主要介绍了近年来基于量子点的白光发光二极管的研究进展。
刘鹏蒋玉蓉杨盛谊
关键词:量子点白光二极管量子限域效应电致发光光致发光
溶液法制备全有机P3HT光电探测器被引量:1
2015年
基于场效应晶体管(FET)结构的光电探测器能通过栅压抑制噪声信号并具有光电信号放大的功能。有机半导体材料已经被广泛应用到光敏晶体管中,全有机探测器对于实现大面积器件制备、降低成本及柔性器件具有十分重大的意义。然而,多层有机聚合物的成膜,必须避免在溶液制备过程中的“溶剂腐蚀”问题。实验中,采用顶栅底接触(TGBC)FET结构及正交溶剂(orthogonal solvent)的方法,以乙酸丁酯作为聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)的溶剂,避免对聚(3-己基噻吩)(P3HT)有源层的破坏,成功制备了性能优良的全有机光电探测器Au(源漏极)/P3HT(150 nm)/PMMA(800 nm)/Al(栅极),其“开/关”电流比达到103,迁移率达8×10-3cm2·V-1·s-1。该器件对350~650 nm的光照均有响应,在0.1 m W/cm2光照下其“明/暗”电流比达75。在600 nm光照下,其最大响应度达到0.28 A/W,其响应度变化趋势与P3HT的吸收光谱情况相似。
张丽杨丹王好伟王依山杨盛谊
关键词:溶液法光电探测器场效应晶体管响应度
Energy distribution in white organic light-emitting diodes with three primary color emitting layers被引量:2
2011年
Two types of organic light-emitting diodes with structures of ITO/N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl,1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (NPB)/tris(8-hydroquinolinato)aluminum(Alq 3)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline(BCP)/Alq 3:4-dicyanomethylene-2-(tert-butyl)-6-methyl-4H-pyran(DCJTB)/Alq 3 /Al and ITO/NPB/BCP/Alq 3 /Alq 3:DCJTB/Alq 3 /Al were studied.NPB was chosen as a hole-transporting/blue-emitting layer.Alq 3 adjacent to BCP acted as a green emitting layer while that adjacent to the Al cathode acted as an electron-transporting layer.Alq 3 doped with 2 wt.% DCJTB was used as a red emitting layer.The operating principles of the devices were explained by the mechanism of F rster energy transfer and the hole and exciton blocking effect of BCP.It was found that the spectral characteristics of the devices strongly depended on the relative location between the green emitting Alq 3 layer and the BCP layer,as well as their thickness.Pure white emission with the CIE coordinates of (0.33,0.33) was achieved by mixing the three primary colors in the device with the structure of ITO/NPB(30 nm)/BCP(6 nm)/Alq 3 (30 nm)/Alq 3:DCJTB(30 nm)/Alq 3 (30 nm)/Al.The BCP layer played an important role in distributing the exciton energy among the three emitting layers to achieve a balanced white light.The white emission of this device was largely insensitive to the driving voltage (15-27 V) with the insertion of the green emitting Alq 3 layer.
MENG LingChuanLOU ZhiDongYANG ShengYiDENG ZhaoRu
关键词:有机发光二极管发光层三基色DCJTB混合结构
基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究被引量:4
2009年
通过将有机空穴阻挡材料BCP薄层插入垂直构型有机发光晶体管器件ITO/NPB(40nm)/Al(30nm)/NPB(20nm)/Alq3(55nm)/Al中的不同位置对器件光电特性的影响来研究器件漏电流较大的原因以及器件中具体的载流子过程.充分证明了栅极注入的空穴对沟道中的电流有贡献.进而通过用LiF薄层修饰漏极来增强电子的注入并减小漏电流,得到了相对稳定的发光晶体管器件,其发光强度有很大提高并可很好地由栅极电压来进行调控.更换发光材料层容易得到不同颜色的发光晶体管.
杨盛谊杜文树齐洁茹娄志东
基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器被引量:2
2015年
并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数,被广泛应用于光敏(电)晶体管中.垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级,能有效提高器件的性能和工作频率,同时降低能耗.本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器ITO(S)/Pentacene/Al(G)/Pentacene/Au(D).实验发现,在工作电压低至-3 V时,并五苯光电探测器ITO/Pentacene(80 nm)/Al(15 nm)/Pentacene(80nm)/Au的阈值电压为-0.9 V,"开/关"电流比为104,表现出了良好的P型晶体管特性以及低电压调控性能.在350—750 nm的不同波长单色光照射下,器件的"明/暗"电流比和响应度随入射波长而变化;在350nm单色光照射下,该光电探测器的"明/暗"电流比的最大值达到308,其对应的响应度为219 m A·W-1,大于标准硅基探测器在350 nm单色光照射下的探测率.这为制备低电压下工作的高灵敏度全有机光电探测器提供了一种可行的方法.
杨丹张丽杨盛谊邹炳锁
关键词:响应度并五苯
Solution-processed photodetectors based on PbS colloidal quantum-dots and organic materials
Solution-processed photodetectors with infrared sensitivities at wavelengths beyond 1,100 nm have attracted mu...
Na Zhao
关键词:PHOTODETECTORS
有机发光晶体管的研究进展被引量:1
2008年
兼备有机发光二极管及薄膜场效应晶体管特性的有机发光晶体管(OLET)不仅可能取代薄膜晶体管驱动的液晶显示,应用于大面积的全有机有源矩阵柔性显示中,还在集成电路信号处理等方面具有潜在的应用价值。文章概述了OLET的发展进程,并从器件结构、工作原理和材料等方面对其进行了概述。
娄志东杜文树齐洁茹杨盛谊
关键词:发光二极管
Highly photoluminescent quantum-dots/polymer hybrids and their application in light-emitting diodes
Owing to their narrow bright emission band, broad size-tunable emission wavelength, superior photostability, a...
Huijuan Liu
超薄层在白色有机电致发光器件中的应用被引量:7
2008年
以DCJTB为掺杂剂,以BCP为空穴阻挡层,研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3/Alq3∶DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱.实验结果显示,在结构A器件的电致发光光谱中,绿光的相对发光强度较弱,增加Alq3层的厚度对绿光的相对发光强度的影响也很小;而在结构B器件的电致发光光谱中,BCP层与掺杂层(Alq3∶DCJTB)之间的Alq3薄层对绿光的相对发光强度影响显著,用很薄的Alq3层就可以得到强的绿光发射.进一步改变器件结构,利用有机超薄层就可以得到稳定的白光器件ITO/NPB(50nm)/BCP(3nm)/Alq3(3nm)/Alq3∶DCJTB(1%(w))(5nm)/Alq3(7nm)/Al.随着电压的增加(14-18V),该器件的色坐标基本保持在(0.33,0.37)处不动;在432mA·cm-2的电流密度下,该器件的发光亮度可达11521cd·m-2.
邓召儒杨盛谊孟令川娄志东
关键词:白色有机电致发光器件空穴阻挡层
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