科技部基础研究重大项目前期研究专项(G2002CCC01300)
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 相关作者：杜永胜于敦波严辉李彤张雪峰更多>>
- 相关机构：北京工业大学北京有色金属研究总院内蒙古科技大学更多>>
- 发文基金：科技部基础研究重大项目前期研究专项北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Si衬底上La0.8Sr0.2MnO3/SrMnO3双层结构研究
- 2004年
- 利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况.结果表明:以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的界面扩散现象也不明显.
- 杜永胜王波许仕龙于敦波李彤严辉张深根
- Si衬底上La0.8Sr0.2MnO3/SrMnO3双层结构研究
- 利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的...
- 杜永胜王波许仕龙于敦波李彤严辉张深根
- 文献传递
- Si衬底上SrMnO_3缓冲层对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜择优取向生长的影响被引量：1
- 2004年
- 利用磁控溅射方法在 (1 0 0 )Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层 ,再沉积得到了 (1 1 0 )择优取向生长的La0 .8Sr0 .2 MnO3(LSMO)薄膜。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响。结果表明 :当沉积温度为 60 0℃时 ,增加缓冲层SMO的厚度 ,LSMO薄膜的取向性变好 ;当缓冲层SMO厚度为 45nm时 ,LSMO薄膜基本具有 (1 1 0 )取向生长的特征。进一步的工作证实 :提高沉积温度 ,能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小 ,并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度 ;当沉积温度为 80 0℃时 ,由于类退火作用的存在 ,厚度为 1 0nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长。
- 杜永胜王波许仕龙于敦波李彤严辉张深根
