您的位置: 专家智库 > >

国家科技重大专项(2010ZX03007)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:戴志伟杨浩张海英更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇电路
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇载波
  • 1篇载波聚合
  • 1篇通信
  • 1篇通信基站
  • 1篇能源
  • 1篇能源机构
  • 1篇迁移率
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇微波集成
  • 1篇微波集成电路
  • 1篇晶体管
  • 1篇回波损耗
  • 1篇基站
  • 1篇集成电路
  • 1篇功放

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇张海英
  • 1篇杨浩
  • 1篇戴志伟

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国科技成果

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
载波聚合通信基站高效功放关键技术与应用
2017年
根据国际能源机构的统计,2010—2015年,全球能源消耗每年以超过2.5%的速度持续增长。电信企业上市公司年报中披露的数据显示,运营商在全国企业能耗排行榜中处于前列。
关键词:通信基站功放载波国际能源机构
1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器被引量:1
2014年
设计与实现了一款两级赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。考虑到实际片上无源电感的性能(低Q值),最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能,相反因为输入电感的存在会增加芯片的面积。设计旨在选择合适的输入晶体管,以免除输入电感的使用,减小芯片的面积。经过优化设计,芯片尺寸为o.8mm×0.8mm。测试结果表明,放大器在3.4~3.6GHz频段内实现了1.1dB的噪声系数以及25.8dB的小信号增益,带内回波损耗最大值为-16.5dB。在回波损耗小于-10dB的范围内,电路带宽拓展到2.8~4.7GHz,此时增益最小值为20dB,噪声最大值为1.3dB。
郑新年杨浩张海英戴志伟
关键词:单片微波集成电路回波损耗
共1页<1>
聚类工具0