以已二醇/水混合溶液为反应介质并结合正丁醇共沸蒸馏处理前驱体,通过化学共沉淀法制备掺钛的Ce1-x Ti x O2(x=0,0.1,0.2,0.3)粉体,运用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、Zeta电位仪等仪器对其物相、外观形貌、表面电位等性质进行了表征,通过测定去除速率和原子力显微镜观察硅片表面的微观形貌来评价钛掺杂对CeO2磨料硅片抛光性能的影响。结果表明,900℃焙烧时所合成的CeO2及其复合氧化物为均一的纳米球状粒子,一次粒子尺寸为40 nm^50nm。纳米Ce0.8Ti0.2O2粉体对硅片的去除速率达到最大值139nm·min-1,是纳米CeO2磨料(67nm·min-1)的2倍,且在1.0μm×1.0μm的范围内微观表面粗糙度R a值达到0.254nm,而Ce0.9Ti0.1O2和Ce0.7Ti0.3O2的去除速率分别为112nm·min-1和89nm·min-1。适量钛掺杂导致纳米CeO2磨料硅片抛光性能显著提高,它与钛掺杂调谐增大纳米CeO2磨料的其负表面电位大小和生成CeTi2O6物相密切相关。
