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WO_3薄膜的微观结构与电致变色机制研究被引量：7: 2010年; 采用直流反应磁控溅射方法在ITO导电玻璃上沉积了WO3薄膜,研究了靶基距对其微结构和电致变色性能的影响,利用XRD、SEM和XPS对薄膜的微结构和成分进行了表征。通过可见光透射谱对样品的电致变色性能进行了研究,并且讨论了WO3薄膜电致变色性能与其微结构、价态变化之间的关系。发现靶基距为7cm的情况下沉积得到的WO3薄膜呈非晶态,薄膜有更多的孔隙,有利于Li+的抽取,进而显示出较好的电致变色性能。反应溅射制备的WO3薄膜中W是W6+价态,颜色为透明状,当发生着色反应时,随着薄膜中Li+成分增加,薄膜颜色变为蓝色,薄膜中W原子为W6+和W5+的混合价态。认为其电致变色的行为是由于Li+和e-在薄膜中的注入和拉出引起的W6+和W5+发生转化所致。; 杨海刚王聪宋桂林王天兴常方高; 关键词：WO3薄膜磁控溅射

反钙钛矿结构Mn3NiN的磁性与反常晶格变化: 近年来,反钙钛矿结构的锰氮化合物MnXN(X=Ga,Zn,Cu,Ge和Sn)的研究引起了学术界的广泛关注。MnXN化合物中,金属Mn原子处于面心位置,非金属N原子则在体心位置。由于其晶体结构与钙钛矿结构相比金属元素与非金...; 褚立华孙莹温永春聂曼王聪; 关键词：磁相变

反钙钛矿结构锰氮化合物奇特的热膨胀性质(英文): 2009年; 通过变温X射线衍射技术研究了反钙钛结构Mn3XN(X=Ga,Zn,Sn,Cu)化合物的热膨胀性质。随着温度的升高,此类材料在磁相变附近有时会伴随大的晶格收缩,即负热膨胀效应。尽管如此,晶格收缩并不总是发生,如:Mn3ZnN,Mn3CuN,Mn3SnN。对这种独特的热膨胀性质与X位置元素价电子数之间的关系进行了讨论。结果表明:3价元素更有利于此类化合物产生负热膨胀效应。通过X位置元素掺杂,可调控此类材料的负热膨胀系数和温区。Mn3Zn0.5Ge0.5N的负热膨胀系数可达-7.15×10-6/K,温区扩展到100K左右。此外,还发现Mn3GaN和Mn3Zn0.7Sn0.3N在室温附近,晶胞常数随温度的升高几乎保持不变,显示为近零膨胀。; 孙莹温永春褚立华聂曼王聪; 关键词：热膨胀磁相变

不同氮流量制备Mn3CuNx薄膜及其电、磁输运性质的研究: 2012年; 采用对靶磁控溅射方法在单晶Si(100)基片上制备了反钙钛矿结构的Mn_3CuN_x薄膜.通过控制制备过程中的反应气体氮气(N_2)流量(N_2/Ar+N_2),研究了氮含量对Mn_3CuN_x薄膜结构及物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、俄歇电子能谱、原子力显微镜、X射线光电子能谱、物理性能测试系统和超导量子干涉仪,对所制备薄膜的晶体结构、成分、表面形貌和电、磁输运性质进行了测试.结果表明:制备的薄膜均为反钙钛矿立方结构,且沿(200)晶面择优生长.随着氮含量的增大,薄膜表面粗糙度和颗粒度尺寸逐渐增大,导致电阻率增加.氮含量对薄膜的电输运性质没有影响,所有薄膜电阻率均随着温度的降低逐渐增大,呈现半导体型导电行为,这与对应的块体材料结果相反.Mn_3CuN_X薄膜随着测试温度的增大发生了亚铁磁到顺磁的磁转变,且N含量的增大降低了磁有序转变温度,主要是由于N缺陷对Mn6N八面体结构中磁交换作用的影响所致.; 纳元元王聪褚立华丁磊闫君; 关键词：氮含量电输运性质

直流反应溅射制备NiO_x薄膜及其电致变色机理研究被引量：1: 2009年; 采用直流反应溅射在ITO导电玻璃上沉积了NiOx薄膜,研究了O2流量对其光学和电致变色性能的影响,利用XRD、SEM和XPS对薄膜的微结构和成分进行了表征。通过循环伏安特性曲线和可见光透射谱对样品的电化学和电致变色性能进行了研究,并且讨论了NiOx薄膜成分与电致变色性能之间的关系。研究发现反应溅射制备的NiOx薄膜是Ni2+和Ni3+混合价态,颜色为淡棕色,随着薄膜中Ni3+成分增加,薄膜颜色变深,调色范围有减小的趋势。NiOx薄膜表现出阳极电致变色特征,作者认为其电致变色的行为是由于Li+和OH-在薄膜中的注入和拉出引起的Ni2+和Ni3+发生转化所致。; 杨海刚王聪朱开贵刁训刚王怀义王天民; 关键词：NIOX 反应溅射电致变色

反钙钛矿Mn_3AX化合物的晶格、磁性和电输运性质的研究进展被引量：4: 2011年; 近年来,研究发现反钙钛矿化合物Mn3AX(A=Cu,Zn,Sn,Ni,Al,Ga等;X=N/C)具有超导,巨磁阻,近零电阻温度系数,负膨胀,磁致伸缩,压磁效应,以及磁卡效应等丰富的物理性能,因此此类化合物受到人们越来越多的关注.反钙钛矿Mn3AX化合物的结构和物性的研究,将对我们深入认识材料的"本-构"关系具有重要的意义.本文重点综述了部分反钙钛矿Mn3AX化合物奇特的物理性质,尤其是晶格、电输运和磁有序之间强关联的研究进展,同时也综述了对晶格、磁阻和磁相变等物性调控的一些成果;在此基础上,结合此类化合物的发展现状提出未来研究的一些展望.; 丁磊王聪褚立华纳元元闫君; 关键词：磁相变负热膨胀电输运

直流磁控溅射制备TiN_xO_y薄膜的性能研究被引量：2: 2008年; 利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了TiNxOy薄膜样品,研究了溅射过程中电压与N2流量之间的迟滞效应,通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis分光光度计、四探针电阻仪等测试手段表征了样品的物相、光吸收谱、电阻等性能。结果表明:随着N2含量的提高和薄膜厚度的增加,XRD显示薄膜样品出现明显的衍射峰,吸收光谱向可见光方向展宽至500 nm,电阻随着N2含量的提高呈逐渐下降的趋势。; 陈尔东王聪杨海刚朱开贵; 关键词：直流磁控溅射迟滞回线

射频磁控溅射法制备Bi_2O_3薄膜的电致变色性能研究被引量：4: 2010年; 采用射频磁控溅射技术在ITO导电玻璃上沉积了Bi_2O_3薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜、X射线光电子谱对薄膜的微结构、表面形貌、成分和价态进行了表征。分析表明在空气气氛中350℃热处理的Bi_2O_3薄膜具有四方结构,属β-Bi_2O_3,该薄膜在-1.8-+3V的直流电压驱动下具有在透明和暗棕色之间转换的电致变色性能,着色和漂白过程中均没有其他价态(+3价以外)的Bi生成。研究发现Bi_2O_3薄膜在400-800nm的可见光波段平均透射率调制幅度可达44%,550nm处着色系数为9.6cm^2/C,该材料具有优良的电致变色性能。; 崔毅王聪周瑜升崔银芳; 关键词：氧化铋电致变色

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国家自然科学基金(50772008)