广东省粤港关键领域重点突破项目(2007A010501008)
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 相关作者：范广涵陈贵楚张运炎章勇黄俊毅更多>>
- 相关机构：华南师范大学肇庆学院更多>>
- 发文基金：广东省粤港关键领域重点突破项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 退火温度对Ta掺杂ITO薄膜性能的影响被引量：2
- 2010年
- 利用电子束蒸发技术在玻璃衬底上沉积了Ta掺杂ITO(ITO∶Ta)薄膜,对比研究了在不同退火温度下ITO∶Ta和ITO薄膜表面形貌、方阻、载流子浓度、霍尔迁移率和透光率的变化情况。结果表明,随着退火温度的上升,ITO∶Ta薄膜的晶化程度不断提高,并获得较低的表面粗糙度。在合适的退火温度下,ITO∶Ta薄膜的光电性能也有显著的改善。当在氮气氧气氛围下经过500℃退火时,ITO∶Ta薄膜得到最佳的综合性能,表面均方根粗糙度为2.17 nm,方阻为10～20Ω,在440 nm的透光率可达98.5%。
- 黄俊毅范广涵章勇
- 关键词：ITO薄膜掺杂电子束蒸发退火温度
- GaN基三阱量子级联激光器结构的垒层Al组分分析
- 2009年
- 基于不同的研究者报道的AlGaN/GaN三阱式量子级联激光器的垒层有不同的Al组分,通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁矩阵元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的优化结果.
- 陈贵楚范广涵李述体邢海英
- 关键词：量子级联激光器AL组分跃迁矩阵元
- Al组分对AlGaN/GaN量子级联激光器性能的影响被引量：4
- 2009年
- 通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的优化结果。结果表明,垒层材料的Al组分大约等于0.15时激光器的偶极跃迁元最大,此时激光器处于垂直跃迁工作状态。
- 陈贵楚范广涵
- 关键词：量子级联激光器AL组分
- 量子阱数量变化对双波长LED作用的研究被引量：3
- 2011年
- 采用软件理论分析的方法分析了InGaN/GaN量子阱数量变化对双波长发光二极管发光光谱、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等产生的影响.分析结果表明,量子阱数量的增加会引起载流子分配不均的现象,所以量子阱数量的增加并不能有效地提升载流子复合率、内量子效率和发光强度,还会引起开启电压升高的现象,影响能量转化效率.此外,不同发光波长的量子阱数量的增加会引起发光光谱强度的变化.
- 张运炎范广涵
- 关键词：数值模拟
- 掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究被引量：1
- 2011年
- 采用软件理论分析的方法对p型及n型掺杂的GaN间隔层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,掺杂的GaN间隔层的引入,可以有效地控制各阱中的电子或空穴浓度,很好地解决了双波长发光二极管中两种阱发光强度不均的问题,并且通过控制阻挡层的厚度,可以调控两种阱中的载流子浓度,从而调控发光峰的相对强度.这些可以归因于掺杂GaN间隔层对电子或空穴的阻挡作用.
- 张运炎范广涵章勇郑树文
- 关键词：GAN间隔层数值模拟
- 产学研相结合建设LED研发实验室被引量：1
- 2009年
- 从建设LED（light emitting diode,发光二级管）研发实验室的实践出发,总结了华南师范大学以产学研相结合建设LED研发实验室的思路、目标、管理体制、运行机制与取得的成效。
- 张涛范广涵
- 量子级联激光器噪声特性的电路模拟
- 2011年
- 对文献报道的量子级联激光器的速率方程组进行简化,并引入Langevin噪声源,在单模与线性增益的情况下对速率方程进行了小信号处理,在此基础上构建了激光器的小信号电路模型,spice仿真结果表明激光器的噪声频谱的3-dB截止频率随光功率增加而增加,而噪声强度则随光功率增加而减少,当光功率很大时,它们都趋向于饱和值,得到的仿真结果与理论计算结果及实验结果相符。
- 陈贵楚范广涵
- 关键词：量子级联激光器速率方程电路模型SPICE仿真
- 不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究被引量：1
- 2011年
- 采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等作用进行模拟分析.分析结果表明,p型掺杂的GaN间隔层与量子阱垒层的引入同不掺杂和n型掺杂两种类型比较,可以大大减少溢出电子流,极大地提高各量子阱内空穴浓度,提高双波长发光二极管的发光强度,极大的改善内量子效率随电流增大而下降问题.
- 张运炎范广涵
- 关键词：GAN数值模拟
- 量子级联探测器研究进展
- 2009年
- 综述了基于三大化合物半导体材料(GaAs基、InP基与GaN基)的量子级联探测器(QCD)的进展,对这三种材料体系的QCD的各种技术指标如光电流响应度、电阻、电流-电压特性等做了详细的说明,最后对其他半导体材料及新型结构的QCD做了展望。
- 陈贵楚范广涵
- 关键词：探测器半导体材料新型结构
