国家重点基础研究发展计划(G200036504)
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
- 相关作者：谢常青陈大鹏王德强刘明徐秋霞更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所电子科技大学重庆邮电学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较
- 2004年
- 以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结果表明 ,Si3N4 / Si O2 叠层栅介质比同样 EOT的纯 Si O2 栅介质有更长的寿命 ,这说明 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质有更高的可靠性 .
- 林钢徐秋霞
- 关键词：叠层栅介质
- 体硅衬底上的CMOS Fin FET(英文)被引量：1
- 2003年
- 介绍了一种制作在普通体硅上的 CMOS Fin FET.除了拥有和原来 SOI上 Fin FET类似的 Fin FET结构 ,器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面 MOSFET,同时该器件结构与传统的 CMOS工艺完全相容 ,并应用了自对准硅化物工艺 .实验中制作了多种应用该结构的 CMOS单管以及 CMOS反相器、环振电路 ,并包括常规的多晶硅和 W/Ti N金属两种栅电极 .分析了实际栅长为 110 nm的硅基 CMOS Fin FET的驱动电流和亚阈值特性 .反相器能正常工作并且在 Vd=3V下 2 0 1级 CMOS环振的最小延迟为 14 6 ps/门 .研究结果表明在未来 VL
- 殷华湘徐秋霞
- 关键词：FINFETCMOS体硅场效应器件
- AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文)
- 2006年
- 考虑Al GaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对Al GaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.
- 薛丽君夏洋刘明王燕邵雪鲁净马杰谢常青余志平
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管极化电荷量子效应
- 等离子体刻蚀工艺控制模型分析
- 2006年
- 讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离予体刻蚀工艺中的应用。结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性。
- 王巍叶甜春吴志刚田益祥
- 关键词：等离子体刻蚀神经网络法
- 深亚微米X射线光刻模拟软件XLSS1.0
- 2004年
- 介绍了一套自行研制的深亚微米同步辐射X射线光刻模拟软件———XLSS1 0。该软件基于面向对象技术,采用束衍生法及快速傅里叶变换相结合的方法来研究X射线掩模中吸收体的光导波效应,对光刻胶表面空间光强分布及光刻胶剖面进行了精确模拟计算,发现模拟结果与实验结果吻合很好,且模拟结果的特征尺寸宽度与实验结果的特征尺寸宽度误差小于±10%。
- 谢常青王德强陈大鹏叶甜春伊福廷韩勇张菊芳
- 关键词：X射线光刻面向对象编程
- 第二代接近式X射线光刻技术被引量：2
- 2006年
- 介绍了第二代PXL的原理和影响光刻分辨率的关键因素,当第二代PXL工艺因子为0.8时,对于50 nm及35 nm节点分辨率,掩模与硅片的间距可以分别达到10μm和5μm,表明第二代PXL具有很大的工艺宽容度;分析了纳米X射线掩模的具体结构、制作工艺和成本,相对于其竞争对手,在100 nm节点及其以下,X射线掩模的制造难度和成本是比较低的,而且随着电子束直写X射线掩模能力的进一步提高,X射线掩模更具优势;对几种常用的X射线光刻胶性能进行了分析,高性能的X射线光刻胶的研发不会成为PXL发展的障碍;对步进光刻机和X射线光源进行了论述,X射线点光源的研究进展对于第二代PXL的发展至关重要;最后介绍了第二代接近式X射线光刻的研究现状,尽管PXL的工业基础比起其它下一代光刻来说要好得多,但是比起光学光刻还差得很远,第二代PXL是否真正为硅基超大规模集成电路生产所接受目前还不得而知。
- 谢常青
- 关键词：X射线掩模光刻胶步进光刻机光源
- 热压印光刻技术复制波带片图形研究被引量：3
- 2005年
- 针对只需单次曝光的菲涅尔波带片器件,给出了结合电子束光刻和热压印光刻进行大规模复制的完整工艺路线,即首先采用电子束光刻制作热压印模版,之后用热压印光刻进行波带片的大规模复制,所制得的波带片图形的最外环宽度为250 nm,直径为196μm,环数为196环。初步实验结果表明,这种方法具有很好的重复性和易用性,且可以进行低成本波带片的精确复制。
- 范东升王德强康晓辉陈大鹏谢常青
- 关键词：波带片纳米压印热压印
- 90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响被引量：2
- 2007年
- 通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器(朗缪尔探针)进行实验数据测定,得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中,能量耦合系数处于一个相对稳定的常值;当等离子体处于局部加热状态时,绝大部分的电子处于附着状态,维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加,分布状态会变得更加一致化.
- 张庆钊谢长青刘明李兵朱效立
- 关键词：等离子体干法刻蚀朗谬尔探针
