吉林省自然科学基金(20020634)
- 作品数：6 被引量：17H指数：3
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- 蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管被引量：4
- 2007年
- 以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。
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- 易于集成的有机薄膜场效应晶体管的制备被引量：3
- 2005年
- 用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))集成在同一个透明的刚性或者柔性衬底上。研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件性能的影响,结果表明接触电阻是影响器件性能的主要因素。在透明的玻璃衬底上实现了有机薄膜场效应晶体管对同一衬底上100μm×200μm红色有机发光二极管的驱动。
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- 关键词：光电子学并五苯有机薄膜场效应晶体管
- OTFTs结构与器件性能被引量：4
- 2007年
- 在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BC-OTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响。结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级。研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响。结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高。
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- 关键词：有机薄膜场效应晶体管底电极迁移率
- 高功率半导体激光器的电噪声被引量：1
- 2005年
- 对高功率量子阱半导体激光器的爆破噪声和可能来自相同缺陷源的产生复合噪声(g r噪声)进行了研究. 实验结果表明, 如果老化电流远高于阈值电流Ith, 爆破噪声和g r噪声将会被引入, 甚至会出现多重g r噪声. 通过对比样品老化前后光电导数的特征参量发现, 老化后产生爆破噪声和g r噪声的器件为失效器件, 表明高功率量子阱半导体激光器在使用和老化过程中有时会伴有爆破噪声和g r噪声. 通过缺陷能级理论和p n结势垒高度变化, 讨论了爆破噪声、g r噪声及多重g r噪声产生的原因.
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- 关键词：电噪声半导体激光器可靠性
- 并五苯薄膜晶体管及其应用被引量：4
- 2004年
- 有机薄膜晶体管(TFT)在数据存储、集成电路、传感器诸方面的广泛应用引起了人们极大的兴趣。在有机TFT的研究中,并五苯TFT占有很重要的地位。介绍了并五苯薄膜晶体管的结构、工作原理及其应用,评述了该领域的研究进展,并对其前景进行了展望。
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- 关键词：并五苯有机薄膜晶体管迁移率
- 低电压并五苯薄膜场效应晶体管被引量：1
- 2004年
- 利用全蒸镀法,以并五苯作为有源层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层,制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT).测试结果表明,器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率.对工作机理进行了探讨.
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- 关键词：聚甲基丙烯酸甲酯场效应迁移率
