公共文化服务平台

共 8 条记录，以下是 1-8

全选清除导出

排序方式：

TiAl_3和Ti/TiAl_3非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现被引量：1: 2005年; 在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极。在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018cm-3的GaN上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5Ω·cm2。与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触。在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率。; 明帆林红斌胡成余秦志新陈志忠张国义; 关键词：欧姆接触 TIAL3 反应离子刻蚀比接触电阻率

对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)被引量：1: 2004年; 用 Thom as Swan公司的 MOCVD系统在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了高质量的 Ga N薄膜 .采用多种化学腐蚀方法 ,如熔融 KOH ,H3PO4 与 H2 SO4 混合酸和 HCl气相腐蚀法 ,利用 SEM及 TEM技术对 Ga N薄膜中的位错进行了研究 .SEM显示在 Ga N薄膜相同位置处 ,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别 .结果表明 HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错 ;H3PO4 与 H2 SO4 混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错 ;而熔融; 陆敏常昕方慧智杨志坚杨华黎子兰任谦张国义章蓓; 关键词：氮化镓

AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文): 2004年; 采用一维传递矩阵法模拟计算了 Al Ga N/Ga N/In Ga N对称分别限制多量子阱激光器 (发射波长为 396 .6 nm)的波导特性 .以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量 ,获得激光器的优化结构参数为 :3周期量子阱In0 .0 2 Ga0 .98N/In0 .1 5Ga0 .85N(10 .5 nm/3.5 nm)作为有源层 ,90 nm In0 .1 Ga0 .9N为波导层 ,12 0周期 Al0 .2 5Ga0 .75N/Ga N(2 .5 nm /2 .5 nm ); 陆敏方慧智张国义; 关键词：MQW SCH

GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量: 2005年; 采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构的激光器样品在增益和增益饱和方面的性能差别,同时指出样品外延时生成的裂纹,可能是造成这一差别的原因。; 金春来胡晓东王琦张振生章蓓; 关键词：光损耗光增益增益饱和

侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)被引量：1: 2005年; 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。; 杨志坚胡晓东章蓓陆敏陆羽潘尧波张振声任谦徐军李忠辉陈志忠秦志新于彤军童玉珍张国义; 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积

基于光纤激光器时域特性的液体浓度传感器被引量：2: 2007年; 报道了一种基于掺铒光纤激光器时域特性的新型液体浓度传感系统.用光纤环反射镜和光纤Bragg光栅(FBG)构成F-P线形腔.谐振腔内插入长周期光纤光栅(LPG) ,FBG的反射波长落在LPG的透射峰左侧.把LPG浸泡在待测液体中,利用LPG对环境折射率的敏感特性,即环境液体浓度的改变引起折射率改变,这将引起LPG透射谱平移,从而使腔内损耗发生变化,影响了激光器的瞬态时域特性.通过测量激光激射的延迟时间可以获得被测液体的浓度.在最佳工作条件下,系统的浓度分辨率为0 .015 %.; 郭文刚罗绍均李勇男涂成厚吕福云; 关键词：光纤传感时域测量光纤光栅

MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离被引量：1: 2004年; 利用 X射线衍射 (XRD)测量用 MOCVD生长的 In Ga N样品 ,观察到 In N相 .通过 X射线衍射理论 ,计算得到 In N相在 In Ga N中的含量 .通过退火和变化生长条件发现 In N相在 In Ga N薄膜中的含量与生长时 N2 载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关 .进一步的分析表明 In Ga N合金中出现 In N相的主要原因是相分离 .; 陆曙童玉珍陈志忠秦志新于彤军胡晓东张国义; 关键词：INGAN INN XRD MOCVD

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析: 2005年; 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.; 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义; 关键词：透射电镜激光剥离

全选清除导出

共1页<1>

国家高技术研究发展计划(2001AA313110)