重庆市科委基金(2008BC4003)
- 作品数：5 被引量：25H指数：3
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- CuCl2硅溶胶和水溶液中铜的电化学行为研究被引量：6
- 2012年
- 采用循环伏安法和计时安培法研究了CuCl2硅溶胶和水溶液中铜在玻碳电极上的电沉积和电结晶行为.结果表明在两种CuCl2电解质中,铜的电沉积分两个步骤完成,Cu2+还原为Cu+在硅溶胶中较水溶液中容易;采用吸附-成核模型解析电流-时间暂态曲线,并确定铜的电结晶机理为扩散控制下的连续成核三维生长(3DP),Cu2+在水溶液中的扩散系数较硅溶胶中的大,但相同电位下在硅溶胶中的饱和成核数密度高于水溶液中.
- 冯砚艳辜敏杜云贵
- 关键词：电结晶硅溶胶水溶液CUCL2铜
- Z-扫描参量对薄膜材料三阶非线性光学特性的影响被引量：6
- 2011年
- 采用数值计算方法对薄膜材料的Z-扫描参量进行研究.对不同激光脉宽下Z-扫描的三阶非线性折射系数和吸收系数进行分析,结果显示不同等级的脉宽激光器对计算结果的数量级影响很大.对不同小孔光阑半径的Z-扫描闭孔曲线进行仿真,结果显示光阑小孔越小,获得特征曲线的峰谷值越明显.对不同光阑离透镜焦点的距离值进行Z-扫描闭孔曲线仿真,结果显示距离为1/2透镜焦距值时闭孔Z-扫描曲线能得到相对较大的峰谷差值.数值分析结果与相关文献报道的实验结果基本一致.
- 甘平卿胜兰鲜晓东
- 关键词：Z-扫描三阶光学非线性激光脉宽
- 添加剂3-巯基-1-丙烷磺酸钠对铜电沉积影响的研究被引量：14
- 2010年
- 采用循环伏安(CV)、线性电位扫描(LSV)、计时安培(CA)和交流阻抗(AC impedance)电化学方法结合扫描电镜(SEM)研究了不同浓度的3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)对CuSO4-H2SO4体系中铜在玻碳电极(GCE)上的电沉积过程的影响.CV,LSV和AC impedance实验结果一致表明MPS阻化铜的电沉积,并且随着MPS浓度的增加,其阻化作用增强.但是MPS对Cu的电结晶过程表现为促进作用,CA与SEM研究结果一致表明,MPS不改变Cu的电结晶成核机理,仍然按瞬时成核和三维生长方式进行,并且成核数目随着MPS浓度的增大而增加.
- 钟琴辜敏李强
- 关键词：MPS铜电沉积电结晶
- 高三阶光学非线性Cd/CdS-SiO2复合薄膜的电化学–溶胶凝胶制备及表征
- 2013年
- 以硝酸镉、硫脲和正硅酸乙酯为前驱体,采用电化学-溶胶凝胶法,以ITO玻璃为基底制备了透明薄膜。扫描电子显微镜（SEM）表征表明薄膜为纳米束结构。X射线能谱（EDX）表征表明薄膜由Si、O、Cd、S元素组成,Cd/S（原子比）〉1。EDX表征结合循环伏安（CV）实验确定薄膜为Cd/CdS-SiO2复合薄膜。Z扫描表征表明,薄膜在1064 nm处表现出自散焦特性的非线性折射效应和饱和吸收特性的非线性吸收特性。薄膜的三阶非线性极化率（χ（3））较高,达到了1.18×10-14~1.39×10-13（m/V）2,表明薄膜具有优良的三阶光学非线性。分析认为薄膜中CdS的含量对薄膜的光学性非线性起主要作用。
- 卿胜兰甘平
- 关键词：三阶光学非线性CDZ扫描
- 碲基复合薄膜在纳米尺度下的电学特性研究
- 2012年
- 分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜(AFM/SPM)在纳米尺度下对碲基复合(Te/TeO2-SiO2)薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8V,反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV,相对介电常数小于以硅为主要成分的衬底相对介电常数。利用光谱分析,碲基复合薄膜的禁带宽度约为3.14eV。
- 甘平辜敏卿胜兰鲜晓东
