广西信息材料重点实验室主任基金(0710908-09-Z)
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：桂林电子科技大学中南大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- (1-x)Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3-xBiNiO_3无铅压电陶瓷的制备与性能被引量：4
- 2010年
- 利用传统固相合成法制备了(1-x)Na0.5K0.5NbO3-xBiNiO3((1-x)NKN-xBN)无铅压电陶瓷。采用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对其显微结构与性能进行研究。结果表明,该体系所研究组分范围内均能形成典型的ABO3型钙钛矿结构,在x=0.006～0.008间存在准同型相界(MPB)。体系主要压电性能在x=0.008左右获得优化,其压电常数d33和机电耦合系数kp均达到极大值(分别为135pC/N和44%),机械品质因数Qm为122,正交-四方转变温度T和居里温度T分别为155℃和385℃。
- 刘超英刘心宇江民红
- 关键词：无铅陶瓷铌酸钾钠压电性能
- BiCrO_3掺杂Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3压电陶瓷的制备与性能
- 2010年
- 采用传统固相合成法制备了BiCrO3掺杂Na0.5K0.5NbO3无铅压电陶瓷。借助XRD、SEM等手段对该陶瓷的显微结构与电性能进行了研究。结果表明,当BiCrO3掺杂量为0.2%～1.0%(摩尔分数),样品均为ABO3型钙钛矿结构。当BiCrO3掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,所得陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因素Qm、斜方–四方相变温度tO-T和居里温度tC分别为138pC/N,0.32,30,175℃和410℃。
- 刘超英刘心宇江民红刘久元马家峰
- 关键词：无铅压电陶瓷压电性能
- 真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律。结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强。延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响。随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω.cm,但长时间退火,电阻率变化不大。薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上。退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大。
- 江民红刘心宇成钧周秀娟李海麒
- 关键词：真空退火透明导电薄膜
